Ion sputter etching of ZnO:Ga thin film surfaces
| Citation: | FLICKYNGEROVÁ, S., NETRVALOVÁ, M., NOVOTNÝ, I., BRUNCKO, J., GAŠPIERIK, P., ŠUTTA, P., TVAROŽEK, V. Ion sputter etching of ZnO:Ga thin film surfaces. Vacuum, 2012, roč. 86, č. 6, s. 703-706. ISSN: 0042-207X |
|---|---|
| Type: | ČLÁNEK |
| Language: | eng |
| English title: | Ion sputter etching of ZnO:Ga thin film surfaces |
| Publication year: | 2012 |
| Authors: | Ing. Marie Netrvalová , Doc. RNDr. Pavol Šutta Ph.D. , Doc. RNDr. Pavol Šutta Ph.D. |
| Abstract CZ: | V tomto článku jsou prezentovány výsledky modifikace povrchové morfologie tenkých vrstev ZnO:Ga (GZO) iontově leptané. Vrstvy GZO byly deponované při pokojové teplotě na skleněné substráty Corning v normálním a nakloněném režimu rf diodovým naprašováním z keramického terče ZnO:2%Ga v argonové atmosféře. Iontové leptání bylo vytvořeno RF re-naprašováním tenkých vrstev GZO na substrát. Během rf naprašovacího leptání se měnil pouze leptací čas, zbývající parametry byly následující: tlak argonu 1,3 Pa, rf výkon 250 W (a udržován konstantní). |
| Abstract EN: | In this article the modi?cation of surface morphology of ZnO:Ga (GZO) thin ?lms by ion sputter etching is presented. GZO thin ?lms were prepared at room temperature on Corning glass substrates by both normal and oblique angle RF diode sputtering from ZnO:2%Ga ceramic target in Ar gas. Ion sputter etching was performed by RF re-sputtering of GZO thin ?lms on substrates. During RF sputter etching, Ar pressure of 1.3 Pa and RF power of 250 W were kept constant, only the time of sputter etching was changed. |
| Keywords |