Přejít k obsahu


Reactive magnetron sputtering of hard Si-B-C-N films with a high-temperature oxidation resistance

Citace: [] VLČEK, J., POTOCKÝ, Š., ČÍŽEK, J., HOUŠKA, J., KORMUNDA, M., ZEMAN, P. Reactive magnetron sputtering of hard Si-B-C-N films with a high-temperature oxidation resistance. Journal of Vacuum Science and Technology A, 2005, roč. 23, č. 6, s. 1513-1522. ISSN: 0734-2101
Druh: ČLÁNEK
Jazyk publikace: eng
Anglický název: Reactive magnetron sputtering of hard Si-B-C-N films with a high-temperature oxidation resistance
Rok vydání: 2005
Autoři: Jaroslav Vlček , Štěpán Potocký , Jiří Čížek , Jiří Houška , Martin Kormunda , Petr Zeman
Abstrakt CZ: Článek se zabývá systematickým výzkumem reaktivního magnetronového naprašování tvrdých kvaternárních materiálů Si-B-C-N. Prvkové složení vytvořených materiálů, jejich vazebná struktura, mechanické vlastnosti a oxidační odolnost ve vzduchu byly primárně řízeny podílem Si v erozní zóně rozprašovaného terče, podílem Ar v plynné směsi Ar-N2, negativním rf předpětím na substrátech a teplotou substrátů. Vytvořené vrstvy byly amorfní v nanostruktuře s velmi hladkým povrchem, dobrou adhezí a nízkým kompresním pnutím.
Abstrakt EN: Based on the results obtained for C-N and Si-C-N films, a systematic invetsigation of reactive magnetron sputtering of hard quaternary Si-B-C-N materials has been carried out. The Si-B-C-N films were deposited on p-type Si substrates by dc magnetron co-sputtering using a single C-Si-B target in nitrogen-argon gas mixtures.
Klíčová slova

Zpět

Patička