Přejít k obsahu


Ab initio simulations of nitrogen evolution in quenched CNx and SiBCN amorphous materials

Citace: [] HOUŠKA, J., BILEK, M., WARSCHKOV, O., MCKENZIE, D., VLČEK, J. Ab initio simulations of nitrogen evolution in quenched CNx and SiBCN amorphous materials. Physical Review B, 2005, roč. 72, č. 5, s. 1-6. ISSN: 1098-0121
Druh: ČLÁNEK
Jazyk publikace: eng
Anglický název: Ab initio simulations of nitrogen evolution in quenched CNx and SiBCN amorphous materials
Rok vydání: 2005
Autoři: Jiří Houška , Marcela Bilek , Oliver Warschkov , David McKenzie , Jaroslav Vlček
Abstrakt CZ: Článek popisuje simulace vzniku molekul N2 během naprašování materiálů CNx, BCN a SiBCN za současného iontového bombardování rostoucích vrstev. Je popsán vliv hustoty, teploty a rychlosti chladnutí na počet vytvořených molekul N2. Výsledky vedou k návrhu modifikace běžných depozičních technik za účelem zvýšení obsahu dusíku ve vytvořených materiálech.
Abstrakt EN: We report ab-initio molecular dynamics simulations of the preparation of CNx, BCN and SiBCN materials formed by energetic ion assisted deposition techniques. We focus on the formation of N2 molecules during liquid quench simulations and investigate how density, temperature and quench rate affect the number of N2 molecules formed in the network. We find that higher material density and shorter cooling times lead to reduced N2 formation and thus higher nitrogen incorporation into the structure. These results suggest a modification of common physical vapour deposition techniques to enhance N content in materials such as CNx.
Klíčová slova

Zpět

Patička