Přejít k obsahu


New quaternary Si-B-C-N films prepared by reactive magnetron sputtering

Citace: [] VLČEK, J., POTOCKÝ, Š., HOUŠKA, J., ZEMAN, P., PEŘINA, V., SETSUHARA, Y. New quaternary Si-B-C-N films prepared by reactive magnetron sputtering. Transactions of the Materials Research Society of Japan, 2006, roč. 31, č. 2, s. 447-451. ISSN: 1382-3469
Druh: ČLÁNEK
Jazyk publikace: eng
Anglický název: New quaternary Si-B-C-N films prepared by reactive magnetron sputtering
Rok vydání: 2006
Autoři: Jaroslav Vlček , Štěpán Potocký , Jiří Houška , Petr Zeman , Vratislav Peřina , Yuichi Setsuhara
Abstrakt CZ: Článek se zabývá novými kvaternárními materiály Si-B-C-N připravenými ve formě tenkých vrstev pomocí reaktivního magnetronového rozprašování křemíku, uhlíku a bóru ve směsích dusík-argon. Materiály vykázaly při amorfní nanostruktuře velmi nízké tlakové pnutí, dobrou adhezi k substrátům, vysokou tvrdost a elastické zotavení a extrémně vysokou oxidační odolnost ve vzduchu za teplot do 1350°C.
Abstrakt EN: Novel quaternary Si-B-C-N films were fabricated using dc magnetron co-sputtering of silicon, boron and carbon from a single C-Si-B or B4C-Si target in nitrogen-argon gas mixtures at substrate temperatures of 180-350 °C. The films, typically 2-5 µm thick, were found to be amorphous in nanostructure with a low compressive stress (around 1 GPa) and good adhesion to substrates. They exhibited high hardness (up to 45 GPa) and elastic recovery (up to 85%), and extremely high oxidation resistance in air at elevated temperatures (up to a 1350 °C substrate limit).
Klíčová slova

Zpět

Patička