Přejít k obsahu


Effect of B and the Si/C ratio on high-temperature stability of Si-B-C-N materials

Citace: [] HOUŠKA, J., VLČEK, J., HŘEBEN, S., BILEK, M., MCKENZIE, D. Effect of B and the Si/C ratio on high-temperature stability of Si-B-C-N materials. Europhysics Letters, 2006, roč. 76, č. 3, s. 512-518. ISSN: 0295-5075
Druh: ČLÁNEK
Jazyk publikace: eng
Anglický název: Effect of B and the Si/C ratio on high-temperature stability of Si-B-C-N materials
Rok vydání: 2006
Autoři: Jiří Houška , Jaroslav Vlček , Stanislav Hřeben , Marcela Bilek , David McKenzie
Abstrakt CZ: Amorfní materiály byly vytvářeny pomocí reaktivního magnetronového naprašování a jejich vysokoteplotní stabilita byla zkoumána experimentálně a pomocí MD simulací. Bylo ukázáno, že teploní stabilita roste s poměrem Si/C a v důsledku přidání boru. Životnost stejných vazeb je při vyšším poměru Si/C výrazně delší. Přidání boru vede ke konverzi některých volných párů valenčních elektronů asociovaných s N na valenční elektrony, což zvyšuje celkové koordinační číslo. Oba tyto jevy posouvají rozkladné reakce v materiálech k vyšším teplotám.
Abstrakt EN: Amorphous Si-B-C-N alloys were deposited by reactive magnetron sputtering, and their high-temperature stability was investigated using a combined approach of experiment and molecular-dynamics simulations. We show that both a higher Si/C ratio and the addition of boron improve the thermal stability of the materials. We find that lifetimes of bonds of the same type are significantly longer at the higher Si/C ratio. The addition of boron results in a conversion of some of the electrons in lone pairs associated with nitrogen to bonding electrons.This increases the network's average coordination number. In both cases, the higher network coordination number and resulting lower diffusion, expressed in terms of longer bond lifetimes, shift decomposition reactions in materials to higher temperatures.
Klíčová slova

Zpět

Patička