Přejít k obsahu


Influence of substrate bias voltage on structure and properties of hard Si-B-C-N films prepared by reactive magnetron sputtering

Citace: [] HOUŠKA, J., VLČEK, J., POTOCKÝ, Š., PEŘINA, V. Influence of substrate bias voltage on structure and properties of hard Si-B-C-N films prepared by reactive magnetron sputtering. Diamond and Related Materials, 2007, roč. 16, č. 1, s. 29-36. ISSN: 0925-9635
Druh: ČLÁNEK
Jazyk publikace: eng
Anglický název: Influence of substrate bias voltage on structure and properties of hard Si-B-C-N films prepared by reactive magnetron sputtering
Rok vydání: 2007
Autoři: Jiří Houška , Jaroslav Vlček , Štěpán Potocký , Vratislav Peřina
Abstrakt CZ: Článek se zabývá vlivem záporného rf předpětí na substrátech, Ub, na vlastnosti vrstev nových kvaternárních materiálů Si-B-C-N. Materiály byly amorfní s tvrdostí do 44 GPa, modifikovaným Youngovým modelem 170 až 280 GPa, elastickou vratností do 82% a dobrou adhezí k substrátům při nízkém kompresním pnutí (0,6-1,8 GPa). Byl prokázán přínosný vliv křemíku na tyto nízké hodnoty kompresního pnutí. Elektrická vodivost polovodivých vrstev Si-B-C-N s vysokým obsahem uhlíku byla řízena složením výbojové směsi dusík-argon a hodnotami Ub.
Abstrakt EN: The paper deals with the effect of the rf induced negative substrate bias voltage,Ub, on characteristics of novel quaternary Si-B-C-N films. The films were found to be amorphous with hardness up to 44 GPa, modified Young's modulus between 170 and 280 GPa, elastic recovery up to 82%, and good adhesion to substrates at a low compressive stress (0.6-1.8 GPa). A beneficial role of silicon in reducing the compressive stress in the films was proved. Electrical conductivity of the semiconductive Si-B-C-N films with a high carbon content was controlled by the nitrogen-argon gas mixture composition and the Ub values.
Klíčová slova

Zpět

Patička