Přejít k obsahu


Physical properties of transparent conductive oxides prepared by RF reactive sputtering

Citace: [] TVAROŽEK, V., NOVOTNÝ, I., ŠUTTA, P., FLICKYNGEROVÁ, S., HARMATHA, L., VAVRINSKÝ, E., NIGROVIČOVÁ, M., MÜLLEROVÁ, J. Physical properties of transparent conductive oxides prepared by RF reactive sputtering. In ASDAM ´06. Bratislava: IEEE, 2006. s. 169-172. ISBN: 1-4244-0396-0
Druh: STAŤ VE SBORNÍKU
Jazyk publikace: eng
Anglický název: Physical properties of transparent conductive oxides prepared by RF reactive sputtering
Rok vydání: 2006
Místo konání: Bratislava
Název zdroje: IEEE
Autoři: Vladimír Tvarožek , Ivan Novotný , Pavol Šutta , Soňa Flickyngerová , Ladislav Harmatha , Erik Vavrinský , Martina Nigrovičová , Jarmila Müllerová
Abstrakt CZ: Tenké vrstvy transparentních vodivých oxidů (ITO, ZnO a ZnO dopované hliníkem)byly připraveny vysokofrekvenčním diodovým naprašováním. Vybrané vlastnostni těchto vrstev (struktura, rezistivita a transparentnost) byla vyšetřována za účelem použití pro tenké vrstvy v solárních článcích.
Abstrakt EN: Transparent conductive oxide thin films (indium tin oxide, zinc oxide and Al doped zinc oxide) were prepared by RF diode sputtering. Selected properties of these films (structure, resistivity and transparency) were investigated with the aim to use them in thin film solar cells.
Klíčová slova

Zpět

Patička