Přejít k obsahu


On the role of hydrogen in the short range order of hydrogenated amorphous and nanocrystalline silicon

Citace: [] MÜLLEROVÁ, J., ŠUTTA, P. On the role of hydrogen in the short range order of hydrogenated amorphous and nanocrystalline silicon. In Applied Physics of Condensed Matter. Bratislava: Slovak University of Technology, 2006. s. 279-282. ISBN: 80-227-2424-6
Druh: STAŤ VE SBORNÍKU
Jazyk publikace: eng
Anglický název: On the role of hydrogen in the short range order of hydrogenated amorphous and nanocrystalline silicon
Rok vydání: 2006
Místo konání: Bratislava
Název zdroje: Slovak University of Technology
Autoři: Jarmila Müllerová , Pavol Šutta
Abstrakt CZ: Poměrně dobře známé tenké vrstvy amorfního hydrogenizovaného křemíku (a-Si:H) a nanokrystalického křemíku (nc-Si:H) jsou stále intenzivně zkoumány, hlavně pro TFTs, tenké vrstvy LEDs, solární články atd. Nanokrystalický Si obsahující amorfní fázi a drobné krystalky Si velikosti desítek nanometrů je kompromisem vlastností a-Si:H a krystalického Si (c-Si). Vzhledem k velikosti krystalitů je vhodnější nc-Si:H, jenž ponechává výhody a-Si:H: nízký svodový proud, nízká cena, jednoduchá nízkoteplotní výroba, zároveň zlepšuje elektrické vlastnosti (vyšší pohyblivost a větší stabilita). Hlavní rozdíly mezi původními vazbami Si-H vazbami v a-Si:H a nc-Si:H mohou vysvětlit určité unikátní efekty v a-Si:H a nc-Si:H.
Abstrakt EN: Relatively well-understood hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) and nanocrystalline silicon (nc-Si:H) thin films still have been intensively studied, especially for TFTs, thin-film-LEDs, solar cells etc. Nanocrystalline Si containing amorphous phase and tiny Si crystallites about tens of nanometers in size compromises some of a-Si:H and crystalline Si (c-Si) properties. Owing to the crystallite size it has become more appropriate to prefer nc-Si:H that retains some advantages of a-Si:H such as low leakage current, and low-cost, simple low-temperature processing, and at the same time improved electrical characteristics over a-Si:H, such as higher mobility and greater stability. Main differences origin from Si-H bonds and the physics of hydrogen in a-Si:H or nc-Si:H may clarify certain unique effects in a-Si:H and nc-Si:H devices.
Klíčová slova

Zpět

Patička