Přejít k obsahu


ZnO nanostructures prepareted by RF sputtering

Citace: [] FLICKYNGEROVÁ, S., TVAROŽEK, V., NOVOTNÝ, I., ŠATKA, P., ŠUTTA, P. ZnO nanostructures prepareted by RF sputtering. Advances in Electrical and Electronic Engineering, 2006, roč. 5, č. 1-2, s. 330-333. ISSN: 1336-1376
Druh: ČLÁNEK
Jazyk publikace: eng
Anglický název: ZnO nanostructures prepareted by RF sputtering
Rok vydání: 2006
Autoři: Soňa Flickyngerová , Vladimír Tvarožek , Ivan Novotný , P. Šatka , Pavol Šutta
Abstrakt CZ: ZnO byl nedávno ohodnocen jako významný materiál pro nanotechnologie. Naprašované tenké vrstvy ZnO mají sloupcovitou polykrystalickou strukturu s přednostní orientací ve směru <002>, rezistivitu ~ 1 &#937;cm a optickou šířku zakázaného pásma Eg = 3,33 eV. Nanoklastry Au a ZnO byly vytvořeny vysokofrekvenčním naprašováním.
Abstrakt EN: ZnO is shortly reviewed as significant material for nanotechnology. Sputtered ZnO thin films showed colummar polycrystalline structure with preffered orientation in <002> direction, resitstivity ~ 1 &#937;cm and optical bandgap Eg = 3,33 eV. Nanoclusters of Au and ZnO were formed by use of RF sputtering.
Klíčová slova

Zpět

Patička