Přejít k obsahu


New quaternary amorphous materials Si-B-C-N: reactive magnetron sputtering and an ab-initio study

Citace: [] HOUŠKA, J. New quaternary amorphous materials Si-B-C-N: reactive magnetron sputtering and an ab-initio study. Plzeň : 2006, 97 s.
Druh: KNIHA
Jazyk publikace: eng
Anglický název: New quaternary amorphous materials Si-B-C-N: reactive magnetron sputtering and an ab-initio study
Rok vydání: 2006
Místo konání: Plzeň
Autoři: Jiří Houška
Abstrakt CZ: První část disertace se zabývá experimentálním vytvářením nových tvrdých kvaternárních amorfních materiálů Si-B-C-N s vysokou teplotní stabilitou. Hlavní závěry popisují vztahy mezi procesními parametry, charakteristikami depozičního procesu a vlastnostmi vytvořených materiálů (prvkové složení, vazebná struktura, kompresní pnutí a elektrická vodivost). Druhá část disertace se zabývá ab-initio výpočty struktur experimentálně připravených materiálů Si-B-C-N. Hlavní závěry popisují vytváření molekul N2 ve studovaných materiálech, vliv implantovaných atomů Ar na jejich strukturu a vlastnosti, schopnost Si snížit kompresní pnutí indukované atomy Ar, a schopnost B zvýšit teplotní stabilitu materiálů Si-B-C-N. Vypočítané výsledky jsou porovnávány s experimentálními.
Abstrakt EN: First part of the thesis is focused on experimental preparation of new hard quaternary amorphous materials Si-B-C-N with high thermal stability. Main conclusions describe the relationships between process parameters, discharge and deposition characteristics and film properties (elemental composition, chemical bonding structure, material hardness, compressive stress or electrical conductivity of materials prepared). Second part of the thesis is focused on ab-initio simulations of structures of experimentally prepared Si-B-C-N materials. Main conclusions deal with N2 formation in studied materials, effect of implanted Ar on structure and properties of prepared materials, ability of Si to relieve that part of compressive stress which is caused by implanted Ar, and ability of B to improve thermal stability of Si-B-C-N materials. The calculated results are compared with experiment.
Klíčová slova

Zpět

Patička