Přejít k obsahu


Effect of implanted argon on hardness of novel magnetron sputtered Si-B-C-N materials: experiments and ab initio simulations

Citace: [] HOUŠKA, J., KALAŠ, J., VLČEK, J., BILEK, M., MCKENZIE, D. Effect of implanted argon on hardness of novel magnetron sputtered Si-B-C-N materials: experiments and ab initio simulations. Journal of Physics: Condensed Matter, 2007, roč. 19, č. 19, s. 1-13. ISSN: 0953-8984
Druh: ČLÁNEK
Jazyk publikace: eng
Anglický název: Effect of implanted argon on hardness of novel magnetron sputtered Si-B-C-N materials: experiments and ab initio simulations
Rok vydání: 2007
Autoři: Jiří Houška , Jiří Kalaš , Jaroslav Vlček , Marcela Bilek , David McKenzie
Abstrakt CZ: Článek se zabývá materiály Si-B-C-N připravenými pomocí reaktivního magnetronového naprašování ve směsích argon-dusík. Struktura materiálů a související mechanické vlastnosti byly zkoumány experimentálně a pomocí výpočtů (molekulární dynamiky). Zjišťujeme že materiály s relativně vysokým obsahem Ar (vysoké předpětí na substrátech |Ub|) jsou prakticky homogenní, zatímco materiály s nízkým obsahem Ar (nízké |Ub|) se skládají z oblastí oblastí s vysokým (kolem implantovaných Ar atomů) a nízkým obsahem Si. Toto může vést k vyšší tvrdosti. V článku je diskutována teplotní závislost tohoto jevu v souvislosti s experimentálními výsledky.
Abstrakt EN: The paper deals with Si-B-C-N alloys were deposited by reactive magnetron sputtering in nitrogen-argon gas mixtures. Material structure and resulting mechanical properties were investigated using a combined approach of experiment and molecular-dynamics simulations. We find that, while at the higher Ar content (high substrate bias |Ub|) the material is practically homogeneous, at the low Ar content (low |Ub|) there are similar volumes of Si-rich (around the implanted Ar atoms) and Si-poor zones. This can increase material hardness. The paper examines a temperature dependence of this phenomenon in the light of experimental results.
Klíčová slova

Zpět

Patička