Přejít k obsahu


Aplikace polovodičových prvků SiC ve výkonové elektronice

Citace: [] DRÁBEK, P., FOŘT, J. Aplikace polovodičových prvků SiC ve výkonové elektronice. In Elektrické pohony. Plzeň: Česká elektrotechnická společnost, 2007. s. 1-5. ISBN: 978-80-02-01921-3
Druh: STAŤ VE SBORNÍKU
Jazyk publikace: cze
Anglický název: Application of semiconductor devices SiC in power electronics
Rok vydání: 2007
Místo konání: Plzeň
Název zdroje: Česká elektrotechnická společnost
Autoři: Pavel Drábek , Jiří Fořt
Abstrakt CZ: Příspěvek se zabývá možností aplikace moderních polovodičových součástek na bázi SiC (Silicon Carbid) ve výkonové elektronice. Je zde uveden základní přehled o problematice SiC materiálů, zhodnocení jejich vlastností v porovnání vůči aktuálně používaným prvkům (IGBT, MOSFET, CoolFET tranzistory).
Abstrakt EN: This paper deals with application possibility of semiconductor devices based on SiC (Silicon Carbid) in power electronics. Basic summary of SiC material problems have been introduced and features of SiC material in compare with actual using components (IGBT, MOSFET, CoolFET) have been discussed.
Klíčová slova

Zpět

Patička