Přejít k obsahu


Novel quaternary Si-B-C-N films prepared by reactive magnetron sputtering

Citace: [] VLČEK, J., HOUŠKA, J., POTOCKÝ, Š., KALAŠ, J., HŘEBEN, S., ČAPEK, J., ZEMAN, P., PEŘINA, V. Novel quaternary Si-B-C-N films prepared by reactive magnetron sputtering. In 18th International Symposium on Plasma Chemistry. Kyoto: International Plasma Chemistry Society, 2007. s. 362-362. ISBN: 978-4-9903773-2-8
Druh: STAŤ VE SBORNÍKU
Jazyk publikace: eng
Anglický název: Novel quaternary Si-B-C-N films prepared by reactive magnetron sputtering
Rok vydání: 2007
Místo konání: Kyoto
Název zdroje: International Plasma Chemistry Society
Autoři: Jaroslav Vlček , Jiří Houška , Štěpán Potocký , Jiří Kalaš , Stanislav Hřeben , Jiří Čapek , Petr Zeman , Vratislav Peřina
Abstrakt CZ: Byl proveden systematický výzkum reaktivního magnetronového naprašování tvrdých kvaternárních Si-B-C-N materiálů. Si-B-C-N vrstvy byly deponovány na Si a SiC substráty rozprašováním C-Si-B nebo B4C-Si terče ve směsi dusíku a argonu. Prvkové složení vrstev, jejich vazebná struktura, nanostruktura, mechanické, tribologické a optické vlastnosti společně s oxidační odolností byly kontrolovány obsahem Si v erozní zóně terče, obsahem Ar ve výbojové směsi, záporným radiofrekvenčně indukovaným předpětím na substrátu a teplotou substrátu. Energie a tok iontů dopadajících na rostoucí vrstvy byly určeny z měřených výbojových charakteristik. Hmotnostní spektroskopie byla použita pro zjištění složení iontových toků dopadajících na substrát a k určení rozdílů mezi rozprašováním uhlíku, křemíku a bóru z terče. Byly provedeny simulace těchto materiálů pomocí molekulární dynamiky vysvětlující strukturu a unikátní vlastnosti.
Abstrakt EN: In this work, a systematic investigation of reactive magnetron sputtering of hard quaternary Si-B-C-N materials has been carried out. The Si-B-C-N films were deposited on Si and SiC substrates by dc magnetron co sputtering using a single C-Si-B or B4C-Si target in nitrogen-argon gas mixtures. Elemental compositions of the films, their bonding structure, nanostructure, and mechanical, tribological and optical properties, together with their oxidation resistance in air, were controlled by the Si fraction in the magnetron target erosion area, the Ar fraction in the gas mixture, the rf induced negative substrate bias voltage and the substrate temperature. The energy and flux of ions bombarding the growing films were determined on the basis of the measured discharge characteristics.
Klíčová slova

Zpět

Patička