Přejít k obsahu


Bonding statistics and electronic structure of novel Si-B-C-N materials: Ab initio calculations and experimental verification

Citace: [] HOUŠKA, J., ČAPEK, J., VLČEK, J., BILEK, M., MCKENZIE, D. Bonding statistics and electronic structure of novel Si-B-C-N materials: Ab initio calculations and experimental verification. Journal of Vacuum Science and Technology A, 2007, roč. 25, č. 5, s. 1411-1416. ISSN: 0734-2101
Druh: ČLÁNEK
Jazyk publikace: eng
Anglický název: Bonding statistics and electronic structure of novel Si-B-C-N materials: Ab initio calculations and experimental verification
Rok vydání: 2007
Autoři: Jiří Houška , Jiří Čapek , Jaroslav Vlček , Marcela Bilek , David McKenzie
Abstrakt CZ: Amorfní materiály Si-B-C-N byly připraveny metodou reaktivního magnetronového naprašování. Ke zkoumání vazebných statistik a elektronové struktury těchto materiálů byl použit kombinovaný přístup experimentu a molekulární dynamické simulace. Autoři ukazují rozdíly mezi Si-B-C-N systémy s vysokým obsahem křemíku a uhlíku a zároveň zkoumají koordinační čísla a chování jednotlivých atomových typů, dále pak počítají elektronovou strukturu a fotovodivost těchto materiálů. Autoři zjistili, že vyšší poměr Si/C i přidání vodíku do materiálu zvyšuje zakázaný pás.
Abstrakt EN: Amorphous silicon-boron-carbon-nitrogen alloys were deposited by reactive magnetron sputtering, and their bonding statistics and electronic structure were investigated using a combined approach of experiment and molecular dynamics simulations. The authors show a difference between Si-based and C-based Si_B-C-N networks, and investigate coordination numbers and behavior of individual atom types. Furthermore, the authors calculate electronic structure and photoconductivity of the materials. The authors find that both a higher Si/C ratio and an addition of hydrogen increase a band gap of the materials.
Klíčová slova

Zpět

Patička