Přejít k obsahu


RF diode reactive sputtering of n- and p-type zinc oxide thin films

Citace: [] TVAROŽEK, V., SHTEREVA, K., NOVOTNÝ, I., KOVÁČ, J., ŠUTTA, P., SRNÁNEK, R., VINCZE, A. RF diode reactive sputtering of n- and p-type zinc oxide thin films. Vacuum, 2007, roč. 82, č. 2, s. 166-169. ISSN: 0042-207X
Druh: ČLÁNEK
Jazyk publikace: eng
Anglický název: RF diode reactive sputtering of n- and p-type zinc oxide thin films
Rok vydání: 2007
Autoři: Vladimír Tvarožek , K. Shtereva , Ivan Novotný , J. Kováč , Pavol Šutta , R. Srnánek , A. Vincze
Abstrakt CZ: V tomto příspěvku je prezentován vztah mezi parametry reaktivního RF diodového naprašování ze ZnO terče a krystalickými, elektrickými a optickými vlastnostmi n-/p-typu tenkých vrstev ZnO. Vlastnosti tenkých vrstev ZnO závisí na RF výkonu, substrátu, teplotě a částečně na pracovním plynu složeného z Ar/O2 a Ar/N2.
Abstrakt EN: We present the relationship between parameters of reactive RF diode sputtering from a zinc oxide (ZnO) target and the crystalline, electrical and optical properties of n-/p-type ZnO thin films depended on RF power, substrate temperature and, particularly, on working gas mixtures of Ar/O2 and of Ar/N2. Sputtering in Ar+O2 working gas (up to 75% of O2)improved the structure of an n-type ZnO thin film, from fibrous ZnO grains to colummar crystallites, both preferentially oriented along the c-axis normally to the substrate (<002> direction). These films had good piezoelektric properties but also high resistivity (&#961;&#8776;10E3 &#937;cm). ZnO:N p-type films exhibited nanograin structure with preferential <002> orientation at 25% N2 and <002> orientation for higher N2 content.
Klíčová slova

Zpět

Patička