Přejít k obsahu


Optical band-gap energies of hydrogenated silicon thin films in light of the quantum-size effect and structure

Citace: [] MÜLLEROVÁ, J., ŠUTTA, P. Optical band-gap energies of hydrogenated silicon thin films in light of the quantum-size effect and structure. In Proceedings of the 13th International Conference on Applied Physics of Condensed Matter. Žilina: Žilinská univerzita, 2007. s. 105-108. ISBN: 978-80-8070-709-5
Druh: STAŤ VE SBORNÍKU
Jazyk publikace: eng
Anglický název: Optical band-gap energies of hydrogenated silicon thin films in light of the quantum-size effect and structure
Rok vydání: 2007
Místo konání: Žilina
Název zdroje: Žilinská univerzita
Autoři: Jarmila Müllerová , Pavol Šutta
Abstrakt CZ: V příspěvku byl studován modrý posun optické šířky zakázaného pásu v amorfním hydrogenizovaném křemíku (a-Si:H) a mikrokrystalickém hydrogenizovaném křemíku (mc-Si:H). Bylo zjištěno, že nanokrystalické křemíkové klastry jsou objekty kvantového velikostního efektu v a-Si:H.
Abstrakt EN: In article was studied the blue-shift of optical ban-gap in amorphous hydrodenated silicon (a-Si:H) and microcrystalline hydrodenated silicon (mc-Si:H). It was found that nanocrystalline Si clusters are subject to quantum-size effect (QSE) in a-Si:H.
Klíčová slova

Zpět

Patička