Přejít k obsahu


Modification of AZO thin-film properties by annealing and ion etching

Citace: [] FLICKYNGEROVÁ, S., NETRVALOVÁ, M., PRUŠÁKOVÁ, L., NOVOTNÝ, I., ŠUTTA, P., TVAROŽEK, V. Modification of AZO thin-film properties by annealing and ion etching. Vacuum, 2010, roč. 84, č. 1, s. 215-217. ISSN: 0042-207X
Druh: ČLÁNEK
Jazyk publikace: eng
Anglický název: Modification of AZO thin-film properties by annealing and ion etching
Rok vydání: 2010
Místo konání: Oxford, England
Název zdroje: Pergamon
Autoři: Ing. Soňa Flickyngerová , Ing. Marie Netrvalová , Ing. Lucie Prušáková , Ing. Ivan Novotný Ph.D. , Doc. RNDr. Pavol Šutta Ph.D. , prof. RNDr. Vladimír Tvarožek CSc.
Abstrakt CZ: Tento článek se zabývá zkoumáním vlivu žíhání a iontového leptání na strukturní, elektrické a optické vlastnosti naprašovaných ZnO:Al (AZO) vrstev. Bylo použito podepoziční žíhání po dobu jedné hodiny při teplotách v rozmezí 200 - 400°C v atmosféře zvané forming gas (80% N2/20% H2) a následovalo iontové vysokofrekvenční leptání.
Abstrakt EN: Effects of annealing and ion etching on the structural, electrical and optical properties of sputtered ZnO:Al (AZO) thin films were investigated. The post-deposition annealing at temperatures TA = 200?400 °C in the forming gas (80% N2/20% H2) for 1 h and ion RF-sputter etching after annealing were used. Ion-sputter etching rate was 7 nm/min. The surface topography changed noticeably after ion-sputter etching: the surface of the sample was rougher (Ra = 33 nm) in comparison with annealed sample only (Ra = 9 nm). After the post-deposition annealing temperature TA = 400 °C and ion-sputter etching thin films have higher integral transmittance (in the range of λ = 400?1000 nm) than non-etched samples. The figure of merit (F) became higher with increase of annealing temperature and the maximum value was F = 8%/Ω at TA = 400 °C (Rs = 10 Ω, Tint = 86%).
Klíčová slova

Zpět

Patička