Přejít k obsahu


Application of the modern semiconductor devices based on the SiC

Citace: [] DRÁBEK, P., HRUŠKA, M. Application of the modern semiconductor devices based on the SiC. In EPE 2009. Brussel: EPE Association, 2009. s. 1-5. ISBN: 978-1-4244-4432-8
Druh: STAŤ VE SBORNÍKU
Jazyk publikace: eng
Anglický název: Application of the modern semiconductor devices based on the SiC
Rok vydání: 2009
Místo konání: Brussel
Název zdroje: EPE Association
Autoři: Ing. Pavel Drábek Ph.D. , Miroslav Hruška
Abstrakt CZ: Článek se zabývá použitím moderních součástek v hybridních konfiguracích Si a Sic. Zvláště možnosti použití těchto součástek pro takční aplikace. Základní charakteristiky, struktury, výhody a nevýhody.
Abstrakt EN: This paper presents research motivated by industrial demand for using power semiconductor devices based on SiC (Silicon Carbide). The paper deals with possibility of SiC devices application in traction vehicles. The main attention has been given to the topology of 3-phase voltage-source inverter with free- wheeling SiC schottky diode and 1-phase traction converter with middle frequency converter for auxiliary drives. The theoretical conclusions and simulation results are compared with experimental measurements on laboratory model with rated power of 2kVA
Klíčová slova

Zpět

Patička