Přejít k obsahu


Crystallization process of amorphous silicon films on glass monitored by in-situ XRD

Citace: [] WESTRA, J., ŠUTTA, P., SONTHEIMER, T., VAVRUŇKOVÁ, V., GALL, S., VAN SWAAIJ, R., ZEMAN, M. Crystallization process of amorphous silicon films on glass monitored by in-situ XRD. In 24th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition. Munich: WIP - Renewable Energies, 2009. s. 2490-2493. ISBN: 3-936338-25-6
Druh: STAŤ VE SBORNÍKU
Jazyk publikace: eng
Anglický název: Crystallization process of amorphous silicon films on glass monitored by in-situ XRD
Rok vydání: 2009
Místo konání: Munich
Název zdroje: WIP - Renewable Energies
Autoři: J.M. Westra , Doc. RNDr. Pavol Šutta Ph.D. , T. Sontheimer , Ing. Veronika Vavruňková , S. Gall , R.A.C.M.M. van Swaaij , M. Zeman
Abstrakt CZ: Krystalizační proces vrstev amorfního křemíku (a-Si) a hydrogenizovaného (a-Si:H) z krystalizace z pevné fáze byl sledován "in-situ" pomocí rtg difrakce. Technologie ETP CVD a odpařování elektronovým svazkem byly použity pro depozici a-Si:H a a-Si vrstev. Vlastnosti a-Si(:H) vrstev byly vyšetřované před krystalizací pomocí infračervené spektrometrie s Fourierovou transformací, Ramanovou spektroskopií a rtg difrakcí. Proces krystalizece byl sledován ve vysokoteplotní komoře monitorovaný "in-situ" rtg. Tyto experimenty byly prováděny při teplotách v rozmezí od 580 do 620 °C a poskytnou nám informace o přechodu z amorfního na polykrystalický stav. Rozdílně se chovaly vrstvy s a bez přítomnosti vodíku. Přítomnost vodíku ovlivnila žíhací čas potřebny pro plnou krystalizaci. Fázová transformace je mírně ovlivněna přítomností bóru v a-Si vrstvách. Po úplné krystalizaci nebyl zbývající amorfní materiál zjištěn v a-Si ani a-Si:H vrstvách pomocí Ramanovy spektroskopie.
Abstrakt EN: The crystallization process of amorphous silicon (a-Si) and hydrogenated a-Si (a-Si:H) films by solid phase crystallization (SPC) was monitored by in-situ X-ray diffraction (XRD). The expanding thermal plasma CVD (ETP CVD) and electron beam (EB) evaporation were used for the deposition of a-Si:H and a-Si films, respectively. The properties of the a-Si(:H) films were determined prior to crystallization by Fourier transform infrared spectroscopy, Raman spectroscopy and XRD. The crystallization process was investigated by using a high temperature chamber adapted for ?in situ? monitoring by XRD. These experiments were carried out at temperatures in the range of 580 to 620 °C and provided us with information about the transition of the amorphous to the polycrystalline state. The transition behavior differed for films with and without the presence of hydrogen. The presence of hydrogen affected the annealing time required for full crystallization. The phase transformation is slightly influenced by the presence of boron in the a-Si films. After full crystallization, no remaining amorphous material was detected in both a-Si and a-Si:H films using Raman spectroscopy.
Klíčová slova

Zpět

Patička