Přejít k obsahu


Experimental Studies on Doped and Co-Doped ZnO Thin Films Prepared by RF Diode Sputtering

Citace: [] SHTEREVA, K., TVAROZEK, V., ŠUTTA, P., KOVAC, J., NOVOTNÝ, I. Experimental Studies on Doped and Co-Doped ZnO Thin Films Prepared by RF Diode Sputtering. In Micro Electronic and Mechanical Systems. Vukovar : In-Teh, 2009, s. 211-234. ISBN: 978-953-307-027-8
Druh: KAPITOLA V KNIZE
Jazyk publikace: eng
Anglický název: Experimental Studies on Doped and Co-Doped ZnO Thin Films Prepared by RF Diode Sputtering
Rok vydání: 2009
Místo konání: Vukovar
Název zdroje: In-Teh
Autoři: Krasimira Shtereva , Vladimír Tvarozek , Doc. RNDr. Pavol Šutta Ph.D. , Jaroslav Kovac , Ivan Novotný
Abstrakt CZ: Oxid zinečnatý (ZnO) patří mezi binární polovodiče II-VI se širokým zakázaným pásmem energií s mnoha zajímavými fyzikálními vlastnostmi. Nestechiometrický ZnO je přirozeným polovodičem n-typu, přičemž jeho vodivost lze snadno zvýšit když jej dopujeme vhodným prvkem. Poněkud obtížněji se ZnO dopuje na vodivost p-typu. Tato práce se zabývá výzkumem tenkých vrstev ZnO dopovaných dusíkem na p-typ vodivosti a jejich fyzikálními vlastnostmi. Vrstvy byly připraveny RF diodovým naprašováním z keramického ZnO terče v atmosféře argon/dusík s různou koncentrací dusíku.
Abstrakt EN: Zinc oxide (ZnO) belongs to the wide energy band-gap II-VI binary semiconductors with many interesting physical properties. Non-stoichiometric ZnO is a native n-type semiconductor, and it is quite easy to increase its conductivity by its doping using appropriate element. Somewhat difficult is ZnO doping to p-type conductivity. The paper deals with the research of p-type conductivity of ZnO thin films doped by nitrogen and their physical properties. The films were prepared by RF diode sputter deposition from ceramic ZnO target with different argon/nitrogen working gas mixture.
Klíčová slova

Zpět

Patička