Přejít k obsahu


Tenkovrstvý solární článek na bázi hydrogenizovaného amorfního křemíku s vysoce zředěnou absorpční vrstvou

Citace: [] PRUŠÁKOVÁ, L., ŠUTTA, P. Tenkovrstvý solární článek na bázi hydrogenizovaného amorfního křemíku s vysoce zředěnou absorpční vrstvou. Plzeň, 2009.
Druh: PROTOTYP, FUNKČNÍ VZOREK
Jazyk publikace: cze
Anglický název: Thin film solar cell on basis of hydrogenated amorphous silicon with highly deluted absorption layer
Rok vydání: 2009
Místo konání: Plzeň
Název zdroje: Západočeská univerzita
Autoři: Ing. Lucie Prušáková , Doc. RNDr. Pavol Šutta Ph.D.
Abstrakt CZ: Tenkovrstvý solární článek na bázi hydrogenizovaného amorfního křemíku určený k přímé konverzi slunečního záření na elektrickou energii s účinností této přeměny až 6.93% při standardizovaném osvětlení AM1.5. Pro snížení počtu rekombinačních center v absorpční vrstvě jsou volné křemíkové vazby pasivovány vodíkem. Absorpční vrstva tedy roste ze dvou plynných prekurzorů: silanu (SiH4) a vodíku (H2) v poměru R=(H2)/(SiH4)=20. S vyšším vodíkovým zředěním (R) roste optická šířka zakázaného pásu absorpční vrstvy a tím narůstá hodnota napětí naprázdno (Voc).
Abstrakt EN: We present the thin-film solar cell based on the hydrogenated amorphous silicon for conversion of solar radiation into direct current electricity with the efficiency up to 6.93% related to the standard illumination conditions AM1.5. Free silicon bonds were passivated by the hydrogen in order to reduce the recombination centres in the absorption layer. Therefore, the absorption layer is formed from two gaseous precursors: silane (SiH4) and hyrogen (H2) in the ratio of R=(H2)/(SiH4)=20. The optical band gap of the absorption layer was increased by the higher hydrogen dilution (R), and as a consequence, rising the open-circuit voltage (Voc).
Klíčová slova

Zpět

Patička