Přejít k obsahu


Medium-range order in a-Si:H films prepared from hydrogen diluted silane

Citace: [] VAVRUŇKOVÁ, V., VAN ELZAKKER, G., ZEMAN, M., ŠUTTA, P. Medium-range order in a-Si:H films prepared from hydrogen diluted silane. Physica Status Solidi A - Applications and Materials Science, 2010, roč. 207, č. 3, s. 548-551. ISSN: 1862-6300
Druh: ČLÁNEK
Jazyk publikace: eng
Anglický název: Medium-range order in a-Si:H films prepared from hydrogen diluted silane
Rok vydání: 2010
Název zdroje: WILEY-VCH Verlag GmbH
Autoři: Ing. Veronika Vavruňková , Gijs van Elzakker , Miro Zeman , Doc. RNDr. Pavol Šutta Ph.D.
Abstrakt CZ: Článek se zabývá systematickou a detailní analýzou vlivu vodíkového (H2) zředění silanu (SiH4) na strukturní vlastnosti tenkých vrstev hydrogenizovaného křemíku (Si:H). Vrstvy Si:H byly připraveny plazmou podpořenou depozicí z plynné fáze při různém poměru toku plynu (R) H2 k SiH4 měnící se od R=0 k 40. Detailní strukturní analýza byla provedena rtg difrakcí. Pro potlačení rtg intensity ze substrátu byly vrstvy Si:H deponované na podklad krystalického křemíku s orientací [100] a rtg analýza byla provedena za použití nástavce pro měření tenkých vrstev. Rtg difrakce ukázala, že první difrakční pík v Si:H vrstvách odpovídá signálu z uspořádaných domén hydridu křemíku (Si4H) s tetragonální strukturou. Šířka v polovině výšky (FWHM) píku klesá s rostoucím H2 zředěním a zůstává téměř konstantní pro R>20. FWHM hodnoty potvrdily, že vrstvy Si:H rostou při R>20 více uspořádaně než vrstvy deponované při nižším R. Tento trend byl potvrzen Ramanovou spektroskopií z analýzy posunu Ramanova amorfního píku.
Abstrakt EN: A systematic and detailed analysis of the influence of hydrogen (H2) dilution of silane (SiH4) on the structural properties of thin hydrogenated silicon (Si:H) films was carried out. The Si:H films were prepared by plasma enhanced chemical vapour deposition method at different H2 to SiH4 flow ratios (R) ranging from R=0 to 40. A detailed structural analysis was carried out by X-ray diffraction (XRD). In order to suppress the XRD intensity from the substrate, Si:H films were deposited onto a [100]-oriented single-crystalline silicon substrate and XRD was carried out with a thin-film attachment. The XRD analysis demonstrated that the first diffraction peak in the Si:H films corresponded to the signal from silicon hydride (Si4H) ordered domains having tetragonal lattice structure. The full width of half maximum (FWHM) of the peak was decreasing with increasing H2 dilution, and remained nearly constant for R>20. The FWHMvalues confirmed that the Si:H films grown at R>20 are more ordered than films deposited at lower R. This trend was confirmed by the Raman spectroscopy from the analysis of the shift of the Raman amorphous peak.
Klíčová slova

Zpět

Patička