Přejít k obsahu


Atom-by-atom simulations of chemical vapor deposition of nanoporous hydrogenated silicon nitride

Citace: [] HOUŠKA, J., KLEMBERG-SAPIEHA, J., MARTINŮ, L. Atom-by-atom simulations of chemical vapor deposition of nanoporous hydrogenated silicon nitride. Journal of Applied Physics, 2010, roč. 107, č. 8, s. 083501-1 - 083501-9. ISSN: 0021-8979
Druh: ČLÁNEK
Jazyk publikace: eng
Anglický název: Atom-by-atom simulations of chemical vapor deposition of nanoporous hydrogenated silicon nitride
Rok vydání: 2010
Autoři: Ing. Jiří Houška Ph.D. , Jolanta Eva Klemberg-Sapieha , Ludvík Martinů
Abstrakt CZ: Článek popisuje simulace metodou molekulární dynamiky růstu (po jednotlivých částicích) amorfních vrstev SiNH připravených pomocí plazmatem iniciované chemické depozice z plynné fáze, konkrétně z radikálů SiHx a N. Pozorovali jsme vznik mezivrstvy (difuzního rozhraní) v úvodní fázi růstu vrstvy a vznik nanopórů v objemu vrstev. Prozkoumali jsme efekt různých procesních parametrů na (1) depoziční charakteristiky, včetně koeficientů ulpění, a (2) materiálové charakteristiky, včetně rozměrů vzniklých nanopórů. Výsledky poskytují detailní pohled na komplexní vztahy mezi procesními parametry a charakteristikami deponovaných SiNH materiálů a vykazují vynikající shodu s experimentálními výsledky.
Abstrakt EN: The paper reports molecular-dynamics simulations of particle-by-particle deposition process amorphous SiNH films prepared by plasma-enhanced chemical vapor deposition from SiHx and N radicals. We observe formation of a mixed zone (damaged layer) in the initial stages of film growth, and formation of nanopores in the film bulk. We investigate the effect of various process parameters on both (1) deposition characteristics, such as sticking coefficients, and (2) material characteristics, such as dimension of the nanopores formed. The results provide detailed insight into the complex relationships between the process parameters and the characteristics of the deposited SiNH materials and exhibit an excellent agreement with the experimentally observed results.
Klíčová slova

Zpět

Patička