Přejít k obsahu


Sputtering of ZnO:Ga Thin Films with the Inclined Crystalic Texture

Citace: [] TVAROŽEK, V., NOVOTNÝ, I., ŠUTTA, P., NETRVALOVÁ, M., FLICKYNGEROVÁ, S., SPIESS, L., SCHAAR, P. Sputtering of ZnO:Ga Thin Films with the Inclined Crystalic Texture. In Proceedings 27th International Conference on Microelectronics. Niš: Electron Devices Society of the Institute of Electrical and Electronics Engineers, inc., 2010. s. 177-180. ISBN: 978-1-4244-7198-0
Druh: STAŤ VE SBORNÍKU
Jazyk publikace: eng
Anglický název: Sputtering of ZnO:Ga Thin Films with the Inclined Crystalic Texture
Rok vydání: 2010
Místo konání: Niš
Název zdroje: Electron Devices Society of the Institute of Electrical and Electronics Engineers, inc.
Autoři: Vladimír Tvarožek , Ivan Novotný , Doc. RNDr. Pavol Šutta Ph.D. , Ing. Marie Netrvalová , Soňa Flickyngerová , L. Spiess , P. Schaar
Abstrakt CZ: V tomto článku je popisována možnost vytvářet tenké vrstvy RF naprašováním s nakloněnou krystalickou strukturou. Byly vytvořeny dva způsoby uložení vzorků k vytvoření tenkých vrstev ZnO:Ga. Odchylka jejich sloupcovité struktury od kolmice k povrchu skla byla v rozsahu 12 - 15°. Nakloněná textura vrstev změnila optickou propustnost, což je způsobeno tzv. blue-shift efektem a změnila se i optická šířka zakázaného pásu.
Abstrakt EN: In this paper the possibility to form thin films with the inclined crystalic texture by the RF diode sputtering is presented. Two oblique deposition arrangements were used for the preparation of ZnO:Ga thin films with the deviation of their columnar structures in the range of 12 ÷ 15 deg to the substrate normal, i.e. an inclination of their ordinary optical axis. The inclined texture of films has changed their optical transmittance spectra as well as it caused the blue-shift and the change of the optical band-gap.
Klíčová slova

Zpět

Patička