Přejít k obsahu


Study of Re-crystallization Processes in Amorphous Silicon Films

Citace: [] VAVRUŇKOVÁ, V., NETRVALOVÁ, M., PRUŠÁKOVÁ, L., MÜLLEROVÁ, J., ŠUTTA, P. Study of Re-crystallization Processes in Amorphous Silicon Films. In Proceedings 27th International Conference on Microelectronics. Niš: Electron Devices Society of the Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2010. s. 257-260. ISBN: 978-1-4244-7198-0
Druh: STAŤ VE SBORNÍKU
Jazyk publikace: eng
Anglický název: Study of Re-crystallization Processes in Amorphous Silicon Films
Rok vydání: 2010
Místo konání: Niš
Název zdroje: Electron Devices Society of the Institute of Electrical and Electronics Engineers
Autoři: Ing. Veronika Vavruňková , Ing. Marie Netrvalová , Ing. Lucie Prušáková , Jarmila Müllerová , Doc. RNDr. Pavol Šutta Ph.D.
Abstrakt CZ: Technologie tenkých vrstev amorfního hydrogenizovaného křemíku (a-Si:H) je objekterm zájmu mnoha výzkumných pracovníků. Tento článek se zabývá rekrystalizačními procesy v tenkých vrstvách a-Si:H připravovaných plazmou podporovanou chemickou depozicí (PECVD) v depoziční aparatuře SAMCO PD-220N. Hodnocení krystalizačních procesů bylo monitorováno in-situ ve vysokoteplotní komoře AP1200 za použití retgenové difrakční analýzy. Experimenty dávaly informace o fázové transformaci z amorfní do polykrystalické fáze při teplotách v rozmezí 580 až 620°C. Průměrná velikost krystalitů byla 40 až 50 nm. Strukrutní vlastnosti původní amorfní fáze a rekrystalizovaných vrstev byly vyšetřovány také pomocí Ramanovy spektroskopie. Optické vlastnosti (index lomu a extinkční koeficient) a-Si:H a polykrystalických Si vrstev byly analyzovány UV/Vis spektrofotometrie. Absorbční vlastnosti vrstev byly získány z UV/Vis experimentálních dat.
Abstrakt EN: Technology of amorphous hydrogenated silicon (a-Si:H) thin films is a subject of interest of many researchers. This paper deals with the re-crystallization processes in a-Si:H thin films prepared by plasma enhanced chemical vapour deposition (PECVD) using a SAMCO PD-220N unit. Evaluation of crystallization process was monitored in a high temperature chamber AP1200 by using ?in-situ? X-ray diffraction (XRD). The experiments have given information about phase transformation from the amorphous to polycrystalline phase and were carried out at temperatures in the range of 580 °C to 620 °C. The average crystalline size of crystallized films was found from 40 to 50 nm. Structural properties of the initial amorphous and re-crystallized films were also investigated by Raman spectroscopy. Optical properties (refractive indices, extinction coefficients) of a-Si:H and poly-Si films were analyzed by UV Vis spectrophotometry. The absorption properties of the films were carried out from the UV Vis experimental data.
Klíčová slova

Zpět

Patička