Přejít k obsahu


Influence of the broken symmetry of defect state distribution at the a-Si:H/c-Si interface on the performance of hetero-junction solar cells

Citace: [] MIKOLÁŠEK, M., RACKO, J., HARMATHA, L., GAŠPIERIK, P., ŠUTTA, P. Influence of the broken symmetry of defect state distribution at the a-Si:H/c-Si interface on the performance of hetero-junction solar cells. Applied Surface Science, 2010, roč. 18, č. 256, s. 5662-5666. ISSN: 0169-4332
Druh: ČLÁNEK
Jazyk publikace: eng
Anglický název: Influence of the broken symmetry of defect state distribution at the a-Si:H/c-Si interface on the performance of hetero-junction solar cells
Rok vydání: 2010
Místo konání: Amsterdam
Název zdroje: Elsevier
Autoři: Miroslav Mikolášek , Juraj Racko , Ladislav Harmatha , Pavol Gašpierik , Doc. RNDr. Pavol Šutta Ph.D.
Abstrakt CZ: Vychádzajíc z toho, že distribuce stavů na rozhraní nemusí mít striktně symetrické rozložení, uvádíme numerickou simulaci struktur a-Si:H(n)/c-Si(p)a a-Si:H(p)/c-Si(n), přičemž uvažujeme změnu hodnot parametrů pásmového posunutí a koncentrace dopování emitoru. Prezentované výsledky pro strukturu a-Si:H(n)/c-Si(p) ukazují výrazný vlyv nesymetrie mezi prostorovým rozložením akceptorů a donorů na napětí naprázdno, zatímco při struktuře a-Si:H(p)/c-Si(n) tuto změnu nepozorujeme v důsledku lepšího pásmového přizpůsobení.
Abstrakt EN: Taking into account the fact that the distribution of defect states at the interface does not have strictly symmetrical shape, we present a simulation study of a-Si:H(n)/c-Si(p) and a-Si:H(p)/c-Si(n) structures with regard to the defect states at the interface, band offsets and doping concentration of the emitter. The presented results suggest for a-Si:H(n)/c-Si(p) solar cells a strong influence of the introduced broken symmetry between acceptor and donor defect states on the open-circuit voltage, whereas the a-Si:H(p)/c-Si(n) structure benefits from inherent favorable band alignment and remains unaffected.
Klíčová slova

Zpět

Patička