Přejít k obsahu


Structural Properties of a-Si:H Films with Improved Stability against Light Induced Degradation.

Citace: [] VAN ELZAKKER, G., ŠUTTA, P., ZEMAN, M. Structural Properties of a-Si:H Films with Improved Stability against Light Induced Degradation.. In Materials Research Society Symposia Proceedings. Warrendale, PA: Materials Research Society, 2009. s. 1-6. ISBN: 978-1-60511-126-1
Druh: STAŤ VE SBORNÍKU
Jazyk publikace: eng
Anglický název: Structural Properties of a-Si:H Films with Improved Stability against Light Induced Degradation.
Rok vydání: 2009
Místo konání: Warrendale, PA
Název zdroje: Materials Research Society
Autoři: Gijs van Elzakker , Doc. RNDr. Pavol Šutta Ph.D. , Miro Zeman
Abstrakt CZ: Při retgenové difrakční analýze (XRD) tenkých vrstev byly použity symetrická Brag-Brentanova a asymetrická tenkovrstvá geometrie. Asymetrická konfigurace umožňuje kvantitativní fázovou analýzu vrstev a odhaluje, že amorfní křemíkové vrstvy deponované z vodíkem zředěného silanu mají silný peak v rentgenogramu kolem 27,5 stupně 2 theta. Tento peak odpovídá signálu z uspořádaných domén tetragonálního hydridu křemíku a ne z kubických křemíkových krystalitů. Šířka v polovině výšky (FWHM) tohoto peaku se zužuje z 5,1 na 4,8 stupně jako se zvyšuje poměr vodíku k silanu (R) k 20 a nemění se významě pro vyšší zředění vodíku. Amorfní křemíkové vrstvy vyráběné s různým vodíkovým zředěním jsou aplikovány jako absorbční vrstvy v jednopřechodových solárních článcích. Degradační experimenty potvrzují pevný pokles degradace, jestliže se zvyšuje poměr z R=0 na R=20. Světelná degradace solárních článků s absorbční vrstvou připravenou při R>20 se nesnižuje při dalším zvyšování R.
Abstrakt EN: X-ray diffraction (XRD) analysis of thin silicon films was carried out using both the symmetric Bragg-Brentano and asymmetric thin-film attachment geometries. The asymmetric configuration allows quantitative phase analysis of the films and reveals that amorphous silicon films deposited from silane diluted with hydrogen have the strongest peak in the XRD patterns located around 27.5 degrees. This peak corresponds to the signal from ordered domains of tetragonal silicon hydride and not from cubic silicon crystallites. The full width at half maximum (FWHM) of this peak narrows from 5.1 to 4.8 degrees as the ratio of hydrogen to silane flow (R) increases to 20 and does not change significantly for higher hydrogen dilutions. The amorphous silicon films fabricated at different hydrogen dilution were applied as absorber layers in single-junction solar cells. Degradation experiments confirm a substantial reduction of the degradation when the dilution ratio is increased from R=0 to R=20. The light induced degradation of solar cells with absorber layers prepared at R > 20 is not further reduced by increasing R.
Klíčová slova

Zpět

Patička