Přejít k obsahu


Preparation of p-type ZnO thin films by RF diode sputtering

Citace: [] SHTEREVA, K., NOVOTNÝ, I., TVAROŽEK, V., SRNÁNEK, R., KOVÁČ, J., ŠUTTA, P. Preparation of p-type ZnO thin films by RF diode sputtering. In ASDAM '06. New York: IEEE Nuclear and Plasma Sciences Society, 2006. s. 33-38. ISBN: 1-4244-0396-0
Druh: STAŤ VE SBORNÍKU
Jazyk publikace: eng
Anglický název: Preparation of p-type ZnO thin films by RF diode sputtering
Rok vydání: 2006
Místo konání: New York
Název zdroje: IEEE Nuclear and Plasma Sciences Society
Autoři: Krasimira Shtereva , Ivan Novotný , Vladimír Tvarožek , Rudolf Srnánek , Jaroslav Kováč , Doc. RNDr. Pavol Šutta Ph.D.
Abstrakt CZ: Tenké vrstvy ZnO p-typu byly připraveny vysokofrekvenčním diodovým naprašováním dopováním dusíkem. Depozice v N2 plazmovém zdroji zvyšuje dusíkovou rozpustnost, což začlení dusík jako akceptor, který je zodpovědný za vodivost typu p ZnO vrstev. Ramanova analýza provedená ve zpětně odražené konfiguraci prokázala začlenění dusíkových akceptorů N0 do ZnO:N. Ramanova spektra ukazují E2 mod a dvě odpovídající vibrační spektra (LVMs) typická pro dusíkem dopovaný ZnO. Minimální rezistivita byla 790 ohm cm, Halova mobilita 22 cm2V-1s-1 a koncentrace nosičů náboje 3,6 x 10na14 cm-3 byla získána přři 75% zředění N2 v Ar/N2 naprašovacím plynu. Rentgenová difrakce (XRD) ukázala, že ZnO:N tenké vrstvy mají přednostní orientaci ve směru roviny (002) při zředění 25% N2 a (100) roviny při vyšším zředění N2. Průměrná velikost krystalitů byla od 7 do 42 nm pro všechny poměry pracovního plynu Ar/N2. ZnO:N vrstvy vykazují poměrně velké mikrodeformace (10 x 10na-3).
Abstrakt EN: A p-type ZnO thin films were prepared by RF diode sputtering and nitrogen doping. Deposition in plasma N-2 gas source increases the N solubility and thus the incorporation of No acceptor that is responsible for p-type conductivity of the ZnO films. Raman analyses performed in back scattering configuration proved the incorporation of the nitrogen acceptor No into ZnO:N. Raman spectra show E-2 mode and two nitrogen related local vibrational modes (LVMs) typical for N-doped ZnO. Minimum resistivity of 790 Omega cm, a Hall mobility of 22 cm 2 V-1.s(-1) and the carrier concentration of 3.6 x 10(14) cm(-3) were obtained at 75 % N-2 in Ar/N-2 sputtering gas. X-ray diffraction measurements (XRD) showed that ZnO:N films had the preferential orientation of (002) plane at 25 % N-2 and of (100) plane for higher N-2 concentrations. The average grain size was ftom 7 to 42 nm for all Ar/N-2 ratios. ZnO:N films exhibit relatively high microstrains (10 x 10(-3)).
Klíčová slova

Zpět

Patička