Přejít k obsahu


Real structure of sputtered yttrium oxide films with different oxygen content

Citace: [] ŠUTTA, P., NOVOTNÝ, I., HARMATHA, L. Real structure of sputtered yttrium oxide films with different oxygen content. In ASDAM '04. New York: IEEE Nuclear and Plasma Sciences Society, 2004. s. 61-64. ISBN: 0-7803-8535-7
Druh: STAŤ VE SBORNÍKU
Jazyk publikace: eng
Anglický název: Real structure of sputtered yttrium oxide films with different oxygen content
Rok vydání: 2004
Místo konání: New York
Název zdroje: IEEE Nuclear and Plasma Sciences Society
Autoři: Doc. RNDr. Pavol Šutta Ph.D. , Ivan Novotný , Ladislav Harmatha
Abstrakt CZ: Dielektrické tenké vrstvy hrají důležitou roli v elektronice a opto-elektronických aplikacích. Mnoho laboratoří je zaměřeno na komplexní studie různých vrstev deponovaných na skleněné substráty naprašovacími technikami ve vztahu k růstu vrstev, struktuře a dalším fyzikálním vlastnostem. Reálná struktrura vrstev Y2O3 deponovaných na Si/SiO2 a Si substráty diodovou naprašovací technikou byla vyšetřována pomocí rentgenové difrakční analýzy. Naprašování bylo provedeno za různých zředění kyslíku v naprašovací atmosféře. Vyšetřované Y2O3 vrstvy jsou polykrystalické s velmi silnou přednostní orientací ve směru [111], který je kolmý na povrch substrátu. Bylo zde také pozorováno významné napětí ve vrstvách, průměrná velikost krystalitů se pohybovala mezi 30 a 50 nm, průměrná mikrodeformace byla okolo 10na-2. Nejlepší výsledky pokud jde o stabilitu struktur naprášených vrstev v atmosféře měly vrstvy s 10% kyslíku.
Abstrakt EN: Dielectric thin films play very important role in electronics and opto-electronics applications and a comprehensive study of various dielectric films deposited on substrates by sputtering techniques has been performed by many laboratories focusing on the relationship between film growth, structure and other physical properties of the films. The real structure of Y2O3 films deposited on Si/SiO2 and Si substrates by a diode sputtering technique is investigated using XRD technique. The sputtering was carried out with different oxygen content in a sputtering atmosphere. The investigated Y2O3 films are polycrystalline with a very strong preferred orientation of their crystallites in [111] direction perpendicular to the substrate and a significant lattice stress was observed too. It has been found out that the average crystallite size is 30-50 nm and the average microstrain is about 10(-2) in Y2O3 films analysed The best results regarding stability of the structures have been obtained with films sputtered in atmosphere having 10% of oxygen.
Klíčová slova

Zpět

Patička