Přejít k obsahu


P-Type conduction in Sputtered ZnO Thin films Doped by Nitrogen

Citace: [] SHTEREVA, K., TVAROŽEK, V., NOVOTNÝ, I., KOVÁČ, J., ŠUTTA, P., VINCZE, A. P-Type conduction in Sputtered ZnO Thin films Doped by Nitrogen. In Proceedings of 25th International Conference on Microelectronics. Belgrade: Serbia and Montenegro IEEE Section - ED/SSc Chapter, 2006. s. 357-360. ISBN: 1-4244-0117-8
Druh: STAŤ VE SBORNÍKU
Jazyk publikace: eng
Anglický název: P-Type conduction in Sputtered ZnO Thin films Doped by Nitrogen
Rok vydání: 2006
Místo konání: Belgrade
Název zdroje: Serbia and Montenegro IEEE Section - ED/SSc Chapter
Autoři: Krasimira Shtereva , V. Tvarožek , I. Novotný , J. Kováč , Doc. RNDr. Pavol Šutta Ph.D. , A. Vincze
Abstrakt CZ: Dusíkem dopované tenké vrstvy oxidu zinečnatého (ZnO:N) byly připravené vysokofrekvenčním diodovým naprašováním ze ZnO terče s různým zředěním pracovních plynů Ar/N2. P-typový charakter ZnO:N tenkých vrstev je způsobený začleněním dusíkových akceptorů N0 do ZnO, což prokázala metoda SIMS (sekundární ionová hmotnostní spektroskopie). Minimální hodnoty rezistivity byly 790 ohm cm, Halova mobilita 22 cm(2)V(-1) s(-1) a koncentrace nosičů náboje 3.6 x 10(14) cm(-3) pro zředění pracovní atmosféry 75 % N2. Rentgenová difrakce (XRD) ukázala, že ZnO:N vrstvy mají přednostní orientaci ve směru (002) při 25 % N2 a ve směru (100) při vyšších koncentracích N2. Průměrná velikost krystalitů byla od 7 do 42 nm pro všechny poměry Ar/N2. Vrstvy ZnO:N vykazovaly relativně velké mikrodeformace (10 x 10(-3)).
Abstrakt EN: Nitrogen doped zinc oxide (ZnO:N) thin films were prepared by RF diode sputtering from ZnO target in different ratio of Ar/N2 gas mixture. The p-type features of ZnO:N thin films have been caused by the incorporation of the nitrogen acceptor N0 into ZnO what was proven by Second Ion Mass Spectroscopy (SIMS) analysis. The minimum value of resistivity of 790 Omega cm, a Hall mobility of 22 cm(2)V(-1) s(-1) and the carrier concentration of 3.6 x 10(14) cm(-3) were yielded at 75%N-2. X-ray diffraction measurements (XRD) showed that ZnO:N films had the preferential orientation of (002) plane at 25% N-2 and of (100) plane for higher N2 concentrations. The average grain size was from 7 to 42 nm for all Ar/N-2 ratios. ZnO:N films exhibit relatively high microstrains (10 x 10(-3)).
Klíčová slova

Zpět

Patička