Přejít k obsahu


Thermal stability of magnetron sputtered Si-B-C-N materials at temperatures up to 1700 °C

Citace: [] ZEMAN, P., ČAPEK, J., ČERSTVÝ, R., VLČEK, J. Thermal stability of magnetron sputtered Si-B-C-N materials at temperatures up to 1700 °C. Thin Solid Films, 2010, roč. 519, č. 1, s. 306-311. ISSN: 0040-6090
Druh: ČLÁNEK
Jazyk publikace: eng
Anglický název: Thermal stability of magnetron sputtered Si-B-C-N materials at temperatures up to 1700 °C
Rok vydání: 2010
Místo konání: Amsterdam
Název zdroje: Elsevier
Autoři: Doc. Ing. Petr Zeman Ph.D. , Ing. Jiří Čapek , Ing. Radomír Čerstvý , Prof. RNDr. Jaroslav Vlček CSc.
Abstrakt CZ: Teplotní stabilita deponovaných materiálů Si-B-C-N (fragmentů nebo prášků vrstev bez substrátu) byla vyšetřována v inertních plynech (He a Ar) do teplot 1700 °C pomocí diferenciální skenovací kalorimetrie, termogravimetrie s vysokým rozlišením a rentgenové difrakce. Amorfní vrstvy Si-B-C-N byly připraveny stejnosměrným magnetronovým rozprašováním složeného terče B4C-Si ve dvou plynných směsích dusíku a argonu (50% N2 + 50% Ar nebo 25% N2 + 75% Ar). Bylo zjištěno, že deponované materiály Si-B-C-N mohou být stabilnější za vysokých teplot v inertní atmosféře než obvykle používané substráty (např. SiC nebo BN). Materiály s chemickým složením Si32-33B10C2N50-51, pro které N/(Si+B+C)=1,1-1,2, si zachovaly amorfní strukturu až do teploty 1600 °C, aniž by v nich došlo k jakýmkoliv strukturním transformacím a úbytku hmotnosti.
Abstrakt EN: Thermal stability of deposited Si-B-C-N materials (film fragments or powders without a substrate) in inert gases (He and Ar) up to 1700 °C was investigated using differential scanning calorimetry, high-resolution thermogravimetry and X-ray diffraction measurements. Amorphous Si-B-C-N films were fabricated by dc magnetron co-sputtering of a single B4C-Si target in two nitrogen-argon gas mixtures (50% N2 + 50% Ar or 25% N2 + 75% Ar). It was found that the deposited Si-B-C-N materials can be more stable at high temperatures in the inert atmosphere than the usually used substrates (e.g. SiC or BN). The materials with the compositions (in at.%) Si32-33B10C2N50-51, for which N/(Si+B+C)=1.1-1.2, retained their amorphous structure up to 1600 °C without any structural transformations and detectable mass changes.
Klíčová slova

Zpět

Patička