Přejít k obsahu


Modelling and optimization of a-Si:H solar cells with ZnO:Al back reflector

Citace: [] DAGAMSEH, A., VET, B., ZEMAN, M., ŠUTTA, P. Modelling and optimization of a-Si:H solar cells with ZnO:Al back reflector. Solar Energy Materials & Solar Cells, 2010, roč. 94, č. 12, s. 2119-2123. ISSN: 0927-0248
Druh: ČLÁNEK
Jazyk publikace: eng
Anglický název: Modelling and optimization of a-Si:H solar cells with ZnO:Al back reflector
Rok vydání: 2010
Místo konání: Amsterdam
Název zdroje: Elsevier
Autoři: A.M.K. Dagamseh , B Vet , Miro Zeman , Doc. RNDr. Pavol Šutta Ph.D.
Abstrakt CZ: Uvedení hliníkem dopovaného oxidu zinečnatého (ZnO:Al) jako zadního ferlektoru je důležitá část v technice světelného rozptylu v současných tenkovrstvých křemíkových solárních článcích. Nicméně, aplikace naprašovaného ZnO:Al na zadní kontakt ovlivňuje výsledky v S-tvaru V-A charakteristik a snižuje plnící faktor. Užitím simulačního programu Advanced semiconductor analysis (ASA) jsme vyšetřovali S-tvar v solárních článcích z hydrogenizovaného amorfního křemíku. Přinášíme studii o vlastnostech ZnO:Al a parametrech rozhraní zadních kontaktů na výkon a-Si:H soláních článků.
Abstrakt EN: The introduction of aluminium doped zinc oxide (ZnO:Al) as a back reflector is an important part of the light-trapping techniques in present thin-film silicon solar cells. However, the application of the sputtered ZnO:Al at the back contact often results in an S-shaped J?V characteristic and a low fill factor. Using the advanced semiconductor analysis (ASA) simulation program we investigated the origin of the S-shape in the hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) solar cells. We carried out a sensitivity study of ZnO:Al properties and back-contact interface parameters on the performance of a-Si:H solar cells.
Klíčová slova

Zpět

Patička