Přejít k obsahu


Quantum Size Effects in a-Si:H Films Prepared by PECVD with Different Hydrogen-Diluted Silane

Citace: [] PRUŠÁKOVÁ, L., VAVRUŇKOVÁ, V., NETRVALOVÁ, M., MÜLLEROVÁ, J., ŠUTTA, P. Quantum Size Effects in a-Si:H Films Prepared by PECVD with Different Hydrogen-Diluted Silane. Advances in Science and Technology, 2010, roč. 74, č. neuvedeno, s. 137-142. ISSN: 1662-0356
Druh: ČLÁNEK
Jazyk publikace: eng
Anglický název: Quantum Size Effects in a-Si:H Films Prepared by PECVD with Different Hydrogen-Diluted Silane
Rok vydání: 2010
Místo konání: Switzerland
Název zdroje: Trans Tech Publications
Autoři: Ing. Lucie Prušáková , Ing. Veronika Vavruňková , Ing. Marie Netrvalová , Jarmila Müllerová , Doc. RNDr. Pavol Šutta Ph.D.
Abstrakt CZ: Kvantový velikostní efekt (QSE) označuje nový jev, kde jsou strukturní, mechanické, tepelné, elektronické a optické vlastnosti pevných látek ovlivněny snížením velikosti částic. Velikostně závislé vlastnosti polovodičů a dielektrik se projevují především u vzorků, kde jeden (u tenkých vrstev) nebo více (kvantové dráty a tečky) rozměrů vzorku je velmi malý (jdou do mikro- až nano-rozměrů). Jeden nebo více rozměrový QSE je doprovázen zvýšením absorpce světla a modrým posunem optické šířky zakázaného pásu v důsledku vytvoření nebo snížení velikosti krystalitů s různými dielektrickými konstantami (relativní permitivita). Porozumění povaze velikostně závislých vlastností má zásadní význam pro pokročilé technologické aplikace. Velikostně závislá šířka zakázaného pásu činí materiál atraktivní pro optické aplikace založené na absorbčních vlastnostech. V této práci se zabýváme tenkými vrstvami a-Si:H s různými tloušťkami připravenými technologií PECVD s různým zředěním silanu vodíkem. Byl pozorován jedno-dimenzionální QSE (při snižování tloušťky vrstev) a tří-dimenzionální QSE (při vysokém zředění silanu vodíkem se objevily nano-krystalické struktury filmů se objevil).
Abstrakt EN: Quantum size effect (QSE) comprises a novel phenomenon where structural, mechanical, thermal, electronic and optical properties of solids are affected by the reduction in particle size. Size-dependent properties in semiconductors and dielectrics come into play especially by making one (thin films) or more (quantum wires and dots) dimensions of a sample very small, particularly going from micro to nano-dimensions. One or more dimensional QSE is accompanied with an increase of the light absorption and the blue-shift of the optical band-gap due to a creation or reduction of the crystallite sizes having different dielectric constants (relative permitivity). Understanding the nature of the size-induced properties is of fundamental importance for advanced technological applications. The size-dependent band-gap makes a material attractive for optical absorption-based applications. In this work, a-Si:H films different in thickness were prepared by PECVD technology using different hydrogen-diluted silane. One-dimensional QSE (when film thickness decreased) and three-dimensional QSE (when due to a high hydrogen-silane dilution the nano-crystalline structure of the films appeared) were observed.
Klíčová slova

Zpět

Patička