Přejít k obsahu


Influence of deposition temperature on amorphous structure of PECVD deposited a-Si:H thin films

Citace: [] MULLEROVÁ, J., FISCHER, M., NETRVALOVÁ, M., ZEMAN, M., ŠUTTA, P. Influence of deposition temperature on amorphous structure of PECVD deposited a-Si:H thin films. CENTRAL EUROPEAN JOURNAL OF PHYSICS, 2011, roč. 9, č. 5, s. 1301-1308. ISSN: 1895-1082
Druh: ČLÁNEK
Jazyk publikace: eng
Anglický název: Influence of deposition temperature on amorphous structure of PECVD deposited a-Si:H thin films
Rok vydání: 2011
Název zdroje: VERSITA
Autoři: Jarmila Mullerová , Marinus Fischer , Ing. Marie Netrvalová , Miro Zeman , Doc. RNDr. Pavol Šutta Ph.D.
Abstrakt CZ: V tomto článku je studován vliv depoziční teploty na strukturní a optické vlastnosti tenkých vrstev amorfního hydrogenizovaného křemíku (a-Si:H) deponovaného plasmou podporovanou chemickou depozicí (PECVD) ze silanu zředěného vodíkem. Série vzorků deponovaných při teplotách od 50 do 200°C byla studována pomocí XRD, Ramanovy spektroskopie a UV/Vis spektrofotometrie. Všechny vzorky byly amorfní bez přítomné krystalické fáze. Uspořádání křemíkových hydridů bylo pozorováno pomocí XRD. Ramanova analýza doplnila výsledky získané z XRD a ukázala, že s rostoucí depoziční teplotou klesá rozptyl vazeb křemík-křemík. Optická charakterizace založená na spektrech propustnosti ve viditelné oblasti záření ukazují, že index lomu vykazuje rostoucí trend se zvyšující se teplotou, což může být způsobeno zhuštěním amorfní sítě.
Abstrakt EN: The effect of deposition temperature on the structural and optical properties of amorphous hydrogenated silicon (a-Si:H) thin films deposited by plasma-enhanced chemical vapour deposition (PECVD) from silane diluted with hydrogen was under study. The series of thin films deposited at the deposition temperatures of 50?200°C were inspected by XRD, Raman spectroscopy and UV Vis spectrophotometry. All samples were found to be amorphous with no presence of the crystalline phase. Ordered silicon hydride regions were proved by XRD. Raman measurement analysis substantiated the results received from XRD showing that with increasing deposition temperature silicon-silicon bond-angle fluctuation decreases. The optical characterization based on transmittance spectra in the visible region presented that the refractive index exhibits upward trend with increasing deposition temperature, which can be caused by the densification of the amorphous network.
Klíčová slova

Zpět

Patička