Přejít k obsahu


Influence of Doping and Co-doping on the Behavior of Sputtered ZnO Thin Films

Citace: [] SHTEREVA, K., ŠUTTA, P., PECZ, B., NOVOTNÝ, I., KOVÁČ, J., TVAROŽEK, V. Influence of Doping and Co-doping on the Behavior of Sputtered ZnO Thin Films. ECS Transactions, 2011, roč. 35, č. 6, s. 141-148. ISSN: 1938-5862
Druh: ČLÁNEK
Jazyk publikace: eng
Anglický název: Influence of Doping and Co-doping on the Behavior of Sputtered ZnO Thin Films
Rok vydání: 2011
Název zdroje: The Electrochemical Society
Autoři: Krasimira Shtereva , Doc. RNDr. Pavol Šutta Ph.D. , B Pecz , Ivan Novotný , Jaroslav Kováč , Vladimír Tvarožek
Abstrakt CZ: Koncepce kodopování byla užita k vyšetřování vlivu galia a dusíku jako kodopantů na mikrostrukturu a elektrické parametry ZnO.ZnO:Ga:N tenké vrstvy byly deponovány radiofrekvenčním diodovým naprašováním s různým zředěním dusíku (0 - 100%) v Ar/N2 atmosféře. Vrstvy ZnO:Ga (0% N2) vykazují minimální rezistivitu - 0,12 ohm*cm, elektronovoou koncentraci 2.5e19 cm-3 a pohyblivost 2cm2/Vs. Děrová koncentrace 2,6e18 cm-3, pohyblivost 2cm2/Vs a rezistivita 1,5 ohm*cm je výsledkem depozice vrstev ZnO:Ga:N ve 100%-ní koncentraci N2 v atmosféře Ar/N2.
Abstrakt EN: A co-dopand approach was used to investigate influence of gallium-nitrogen co-doping on the microstructure and electrical parameters of ZnO. ZnO:Ga:N thin films were deposited by rf diode sputtering at varying nitrogen content (0 - 100%) in Ar/N2 gas. ZnO:Ga films (0% N2) showed minimum resistivity of 0.12 ohm*cm, electron concentration of 2.5e19 cm-3 and mobility of 2cm2/Vs. A hole concentration of 2.6e18 cm-3, a mobility of 2cm2/Vs and resistivity of 1.5 ohm*cm in ZnO:Ga:N resulted from the deposition with 100% N2 in Ar/N2 gas.
Klíčová slova

Zpět

Patička