Přejít k obsahu


Effect of deposition temperature on electrical, optical and structural properties of Ga-N co-doped ZnO oxide thin films

Citace: [] SHTEREVA, K., TVAROŽEK, V., NOVOTNÝ, I., ŠUTTA, P., KOVÁČ, J., FLICKYNGEROVÁ, S., NETRVALOVÁ, M. Effect of deposition temperature on electrical, optical and structural properties of Ga-N co-doped ZnO oxide thin films. In Proceedings of the 17th International Conference on Applied Physics of Condensed Matter. Žilina: University of Žilina, 2011. s. 65-68. ISBN: 978-80-554-0386-1
Druh: STAŤ VE SBORNÍKU
Jazyk publikace: eng
Anglický název: Effect of deposition temperature on electrical, optical and structural properties of Ga-N co-doped ZnO oxide thin films
Rok vydání: 2011
Místo konání: Žilina
Název zdroje: University of Žilina
Autoři: Krasimira Shtereva , Vladimír Tvarožek , Ivan Novotný , Doc. RNDr. Pavol Šutta Ph.D. , Jaroslav Kováč , Soňa Flickyngerová , Ing. Marie Netrvalová
Abstrakt CZ: V tomto článku diskutujeme vliv depoziční teploty substrátu (Ts) na elektrické, optické a strukturní vlastnosti tenkých vrstev ZnO kodopovaných galiem a dusíkem (ZnO:Ga:N).
Abstrakt EN: In this paper, we discuss the effect of deposition temperature of the substrate (Ts) on the electrical, optical and structural properties of gallium-nitrogen co-doped ZnO thin films (ZnO:Ga:N).
Klíčová slova

Zpět

Patička