Přejít k obsahu


Modification of physical properties of sputtered zinc oxide thin films by introduction of gallium and nitrogen

Citace: [] SHTEREVA, K., TVAROŽEK, V., NOVOTNÝ, I., MILOSAVLJEVIČ, M., ŠUTTA, P., FLICKYNGEROVÁ, S. Modification of physical properties of sputtered zinc oxide thin films by introduction of gallium and nitrogen. In Proceedings of the 17th International Conference on Applied Physics of Condensed Matter. Žilina: University of Žilina, 2011. s. 61-64. ISBN: 978-80-554-0386-1
Druh: STAŤ VE SBORNÍKU
Jazyk publikace: eng
Anglický název: Modification of physical properties of sputtered zinc oxide thin films by introduction of gallium and nitrogen
Rok vydání: 2011
Místo konání: Žilina
Název zdroje: University of Žilina
Autoři: Krasimira Shtereva , Vladimír Tvarožek , Ivan Novotný , M Milosavljevič , Doc. RNDr. Pavol Šutta Ph.D. , Soňa Flickyngerová
Abstrakt CZ: Naše předchozí výzkumy ukázaly, že dusíkem dopování má velký vliv na mikrostrukturu, elektrické a optické vlastnoti naprašovaných tenkých vrstev ZnO. Cíle současného výzkumu jsou vyšetřování vlivu dusíkové implantace a poimplantačního žíhání na fyzikální vlastnosti naprašovaných tenkých vrstev ZnO:Ga a navíc dopování k získání vrstvy p-typu.
Abstrakt EN: Our previous investigations showed that nitrogen doping had a great impact on microstructure, electrical and optical properties of sputtered ZnO thin films. Aims of current research are to investigate the influence of nitrogen implantation and post-implantation annealing on physical properties of sputtered ZnO:Ga thin films and once more to attempt p-type doping.
Klíčová slova

Zpět

Patička