Přejít k obsahu


Analysis of single junction a-Si:H solar cells grown on different TCO´s

Citace: [] PRUŠÁKOVÁ, L., FLICKYNGEROVÁ, S., FISCHER, M., NOVOTNÝ, I., TIJSSEN, M., NETRVALOVÁ, M., ZEMAN, M., TVAROŽEK, V., ŠUTTA, P. Analysis of single junction a-Si:H solar cells grown on different TCO´s. Vacuum, 2012, roč. 86, č. 6, s. 765-768. ISSN: 0042-207X
Druh: ČLÁNEK
Jazyk publikace: eng
Anglický název: Analysis of single junction a-Si:H solar cells grown on different TCO´s
Rok vydání: 2012
Autoři: Ing. Lucie Prušáková , Ing. Soňa Flickyngerová PhD. , Marinus Fischer , Ing. Ivan Novotný , Martijn Tijssen , Ing. Marie Netrvalová , Prof. Miro Zeman , Prof. Vladimír Tvarožek , Doc. RNDr. Pavol Šutta Ph.D. ,
Abstrakt CZ: V návaznosti na předchozí vývoj jednotlivých transparentních vodivých oxidů (TCO) a absorbčních vrstev byly zkoumány solární články na bázi amorfního hydrogenovaného křemíku (a-Si:H) připravené na skleněných substrátech s různými TCO vrstvami. V tomto článku jsme se zaměřili na zkoumání vlivu použití různých TCO v roli předního kontaktu solárních článků. Porovnány byly diodově naprašovaný ZnO:Ga, texturovaný a netexturovaný ZnO:Al a komerčně vyráběný ASAHI (SnO2:F). Morfologie a struktura připravených ZnO vrstev byla upravena reaktivním ionovým leptáním a podepozičním žíháním. V závěru můžeme shrnout, že solární články připravené s ZnO:Al předním kontaktem dosáhly srovnatelných parametrů jako články připravené na komerčně vyráběném ASAHI.
Abstrakt EN: In consequence of previous investigation of individual transparent conductive oxide (TCO) and absorber layers a study was carried out on hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) solar cells with diluted intrinsic a-Si:H absorber layers deposited on glass substrates covered with different TCO films. In this paper we focused our attention on the influence of using different TCO´s as a front contact in solar cells. Diode sputtered ZnO:Ga, textured and non-textured ZnO:Al and commercially fabricated ASAHI (SnO2:F) U-type TCO´s have been used. The morphology and structure of ZnO films were altered by reactive ion etching (RIE) and post-deposition annealing. It can be concluded that the single junction a-Si:H solar cells with ZnO:Al films achieved comparable parameters as those prepared with commercially fabricated ASAHI U-type TCO´s.
Klíčová slova

Zpět

Patička