Přejít k obsahu


Preparation of Shell nanocrystalline Ga-doped ZnO Ultra-Thin Films by Sputtering

Citace: [] NOVOTNÝ, I., TVAROŽEK, V., ŠUTTA, P., NETRVALOVÁ, M., NOVÁK, J., VÁVRA, I., ELIÁŠ, P. Preparation of Shell nanocrystalline Ga-doped ZnO Ultra-Thin Films by Sputtering. In Proceedings of 28th INTERNATIONAL CONFERENCE ON MICROELETRONICS. Niš: Electron Devices Society of the Institute of Electrical and Electronics Engineers, INC., 2012. s. 269-271. ISBN: 978-1-4673-0235-7
Druh: STAŤ VE SBORNÍKU
Jazyk publikace: eng
Anglický název: Preparation of Shell nanocrystalline Ga-doped ZnO Ultra-Thin Films by Sputtering
Rok vydání: 2012
Místo konání: Niš
Název zdroje: Electron Devices Society of the Institute of Electrical and Electronics Engineers, INC.
Autoři: Ivan Novotný , Vladimír Tvarožek , Doc. RNDr. Pavol Šutta Ph.D. , Ing. Marie Netrvalová , Jozef Novák , Ivo Vávra , Peter Eliáš
Abstrakt CZ: V tomto článku je prezentována možnost vytvoření ultra-tenkých vrstev oxidu zinečnatého dopovaného galiem (ZnO:Ga) vytvořených kontinuálním nebo sekvenčním naprašováním. Byl studován vliv podepozičního žíhání na krystalovou strukturu. Obzvláště sledovaným parametrem je možnost vytvoření vysoce-konzistentního povlaku (krusta) 3D nanostruktur (nanovlákna GaP) sekvenčním naprašováním.
Abstrakt EN: In this paper the possibility to form ultra-thin homogenous films doped by Ga (ZnO:Ga) by continual or sequential sputtering is presented. An influence of post-deposition annealing on crystalline structure of films was studied. The ability to create a highly consistent coverage (shell) of three dimensional nanostructures (GaP nanowires) by the sequential mode of sputtering was proven.
Klíčová slova

Zpět

Patička