Přejít k obsahu


Oblique Angle Sputtering of ZnO:Ga Thin FIlms

Citace: [] TVAROŽEK, V., NOVOTNÝ, I., ŠUTTA, P., NETRVALOVÁ, M., VÁVRA, I., BRUNCKO, J., GAŠPIERIK, P., FLICKYNGEROVÁ, S. Oblique Angle Sputtering of ZnO:Ga Thin FIlms. Physics Procedia, 2012, roč. 32, č. Neuveden, s. 456-463. ISSN: 1875-3892
Druh: ČLÁNEK
Jazyk publikace: eng
Anglický název: Oblique Angle Sputtering of ZnO:Ga Thin FIlms
Rok vydání: 2012
Autoři: Vladimír Tvarožek , Ivan Novotný , Doc. RNDr. Pavol Šutta Ph.D. , Ing. Marie Netrvalová , Ivo Vávra , Jaroslav Bruncko , Pavol Gašpierik , Soňa Flickyngerová
Abstrakt CZ: V příspěvku jsou prezentovány tenké vrstvy ZnO:Ga vytvořené RF diodovým naprašováním při třech různých šikmých (pod úhlem 80°) konfiguracích ? jednoduchá nakloněná depozic a nakloněné sekvenční depozice při otáčení substrátu kolem normálové osy ? dvakrát o 180° a čtyřikrát o 90°. XRD difraktogramy a azimutální čárové profily potvrzují naklonění textury ve směru (001) stejně jako SEM/TEM analýzy lomů ukazují kolumnární krystalickou strukturu nakloněnou o 11°, 2D a 3D ?pseudo-cikcak? strukturu. Odkloněná textura a nakloněná kolumnární struktura vrstev zvyšují optickou transmitanci a rozšiřují jejich přímou optickou šířku zakázanéhopásu.
Abstrakt EN: RF diode sputtering of ZnO:Ga thin films by three type of deposition at constant oblique-angle (80°) configuration is presented: simple oblique deposition, oblique depositions by substrate sequential turning around the substrate normal ? double by an 180° angle and four-times by 90°. XRD patterns and azimuthal line profiles confirmed their inclined (002) texture and SEM/TEM cross-section analyses indicated the columnar crystallic structures: tilted by about 11°, 2D- and 3D- ?pseudo-zigzag?ones. Both inclined texture and tilted columnar structure of the films increased their optical transmittance and widened their direct optical band-gap.
Klíčová slova

Zpět

Patička