Přejít k obsahu


High-rate reactive deposition of multifunctional Ta-O-N films using high power impulse magnetron sputtering

Citace: [] REZEK, J., VLČEK, J., HOUŠKA, J., ČERSTVÝ, R. High-rate reactive deposition of multifunctional Ta-O-N films using high power impulse magnetron sputtering. Sheffield, Velká Británie, 2012.
Druh: PŘEDNÁŠKA, POSTER
Jazyk publikace: eng
Anglický název: High-rate reactive deposition of multifunctional Ta-O-N films using high power impulse magnetron sputtering
Rok vydání: 2012
Autoři: Ing. Jiří Rezek , Prof. RNDr. Jaroslav Vlček CSc. , Doc. Ing. Jiří Houška Ph.D. , Ing. Radomír Čerstvý
Abstrakt CZ: Bylo zkoumáno vysokovýkonové pulzní magnetronové rozprašování planárního tantalového terče (průměr 100 mm) v různé atmosféře argonu, kyslíku a dusíku. Průměrná výkonová hustota přes periodu byla 50 Wcm-2. Podíl dusíku v toku reaktivních plynů byl v rozsahu 0-100% při tlaku argonu 1,5 Pa a celkovém tlaku směsi argon-kyslík-dusík 2 Pa. Si (100) a skleněné substráty byly na plovoucím potenciálu při teplotě nižší než 250 °C. Efektivní řízení toku reaktivních plynů umožňovalo produkci velmi kvalitních Ta-O-N vrstev s proměnným chemickým složením při velmi vysoké depoziční rychlosti (97 až 190 nm/min). Jejich složení (v at. %) bylo v rozsahu od Ta27O72 s nízkým obsahem vodíku (<1 at. %) do Ta38O4N55 s 3% vodíku.
Abstrakt EN: HiPIMS of a planar tantalum target (diameter of 100 mm) in various argon-oxygen-nitrogen gas mixtures was investigated at a fixed average target power density of 50 Wcm-2 in a period. The nitrogen fractions in the reactive gas flow were in the range from 0 to 100% at the argon partial pressure of 1.5 Pa and the total pressure of the argon-oxygen-nitrogen gas mixture around 2 Pa. The Si (100) and glass substrates were at a floating potential, and the substrate temperature was less than 250°C. An effective reactive gas flow control made it possible to produce high-quality Ta-O-N films of various elemental compositions with high deposition rates (97 to 190 nm/min). Their compositions (in at. %) were varied from Ta27O72 with a low content (less than 1%) of hydrogen to Ta38O4N55 with 3% of hydrogen.
Klíčová slova

Zpět

Patička