Přejít k obsahu


Hard nanocrystalline Zr-B-C-(N) films prepared by pulsed magnetron sputtering

Citace: [] KOHOUT, J., STEIDL, P., VLČEK, J., ČERSTVÝ, R. Hard nanocrystalline Zr-B-C-(N) films prepared by pulsed magnetron sputtering. San Diego, USA, 2012.
Druh: PŘEDNÁŠKA, POSTER
Jazyk publikace: eng
Anglický název: Hard nanocrystalline Zr-B-C-(N) films prepared by pulsed magnetron sputtering
Rok vydání: 2012
Autoři: Mgr. Jiří Kohout , Ing. Petr Steidl , Prof. RNDr. Jaroslav Vlček CSc. , Ing. Radomír Čerstvý
Abstrakt CZ: Tvrdé vrstvy Zr-B-C-N byly deponovány na křemíkové substráty pulsním magnetronovým rozprašováním borovo-uhlíkového terče pokrytého zirkoniem (15 nebo 45 % erozní zóny terče) v plynné směsi dusíku a argonu. Podíl dusíku se pohyboval v rozmezí 0-50 %, celkový tlak byl 0,5 Pa. V argonovém výboji s 15 % zirkonia na terči byly připraveny tvrdé nanokrystalické vrstvy Zr-B-C-N s velmi nízkým tlakovým pnutím a vysokou elektrickou vodivostí. Ve výboji ve směsi argonu a dusíku (podíl dusíku - 5 %) se 45 % zirkonia na terči byly připraveny tvrdé nanokrystalické vrstvy Zr-B-C-N s nízkým tlakovým pnutím a velmi vysokou elektrickou vodivostí.
Abstrakt EN: Hard Zr-B-C-(N) films were deposited on Si substrates by pulsed magnetron co-sputtering of a single boron carbide-zirconium target in various nitrogen-argon gas mixtures. The target was formed by a boron carbide plate overlapped by Zr stripes which covered 15 or 45 % of the target erosion area. The nitrogen fractions in the gas mixture were in the range from 0 to 50 % at the total pressure of the gas mixture of 0.5 Pa. Hard nanocrystalline Zr-B-C films with very low compressive stress and high electrical conductivity were deposited in argon discharge at the 15 % Zr fraction in the target erosion area. Hard nanocomposite Zr-B-C-N films with low compressive stress and even higher electrical conductivity were deposited at the 45 % Zr fraction in the target erosion area and 5 % nitrogen fraction in the gas mixture.
Klíčová slova

Zpět

Patička