Přejít k obsahu


Effect of Si and N addition on oxidation resistance of magnetron sputtered Zr-B-C films

Citace: [] ZEMAN, P., PROKŠOVÁ, Š., KOHOUT, J., MAREŠ, P., ČERSTVÝ, R., VLČEK, J. Effect of Si and N addition on oxidation resistance of magnetron sputtered Zr-B-C films. Garmisch-Partenkirchen, Německo, 2012.
Druh: PŘEDNÁŠKA, POSTER
Jazyk publikace: eng
Anglický název: Effect of Si and N addition on oxidation resistance of magnetron sputtered Zr-B-C films
Rok vydání: 2012
Autoři: Doc. Ing. Petr Zeman Ph.D. , Ing. Šárka Prokšová , Mgr. Jiří Kohout , Ing. Pavel Mareš , Ing. Radomír Čerstvý , Prof. RNDr. Jaroslav Vlček CSc.
Abstrakt CZ: Přednáška se věnuje vlivu přidání Si a N na vysokoteplotní chování vrstev Zr-Si-B-C-(N). Vrstvy byly deponovány stejnosměrným pulzním magnetronovým naprašováním z terče B4C-Zr-Si (s 15% obsahem Zr v erozní zóně terče) v Ar nebo ve směsi N2+Ar. Obsah Si a N ve vrstvách byl měněn v širokém rozsahu změnou obsahu Si v erozní zóně terče a změnou obsahu N2 v plynné směsi. Bylo zjištěno, že přidání Si má pozitivní vliv na oxidační odolnost vrstev Zr-B-C a vede k redukci nárůstu hmotnosti. Vrstvy Zr-Si-B-C deponované při 20% obsahu Si v erozní zóně terče jsou oxidačně odolné až do 650 °C. Přidání N do vrstev Zr-Si-B-C vede k dalšímu posunu počátku oxidace do vyšších teplot. Vrstvy deponované s 20% obsahem Si v erozní zóně terče a 15% obsahem N2 v plynné směsi jsou oxidačně odolné minimálně do teplot 1000 °C.
Abstrakt EN: The contributed talk deals with the effect of Si and N addition on high temperature behavior of hard Zr-Si-B-C-(N) films. The films were deposited by dc pulsed magnetron co-sputtering of a single B4C-Zr-Si target (with a fixed 15% Zr fraction in the target erosion area) in Ar or N2+Ar gas mixtures. The Si and N content in the films was varied in a wide range by the Si fraction in the target erosion area and by the N2 fraction in the gas mixtures, respectively. It was found that the addition of Si positively affects the oxidation resistance of the Zr-B-C films resulting in the reduction of mass gains. The Zr-Si-B-C films deposited with the 20% Si fraction in the target erosion area are oxidation resistant up to 650 °C. The addition of N into the Zr-Si-B-C films results in a further shift of the onset of oxidation to higher temperatures. The films deposited with the 20% Si fraction in the target erosion area and with the 15% N2 fraction in the gas mixture are oxidation resistant at least up to 1000 °C.
Klíčová slova

Zpět

Patička