Přejít k obsahu


Carrier Control in Polycrystalline ZnO:Ga Thin Films via Nitrogen Implantation

Citace: [] SHTEREVA, K., NOVOTNÝ, I., TVAROŽEK, V., VOJS, M., FLICKYNGEROVÁ, S., ŠUTTA, P., VINCZE, A., MILOSAVLJEVIC, M., JEYNES, C., PENG, N. Carrier Control in Polycrystalline ZnO:Ga Thin Films via Nitrogen Implantation. ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2012, roč. 1, č. 5, s. P237-P240. ISSN: 2162-8769
Druh: ČLÁNEK
Jazyk publikace: eng
Anglický název: Carrier Control in Polycrystalline ZnO:Ga Thin Films via Nitrogen Implantation
Rok vydání: 2012
Autoři: Krasimira Shtereva , I. Novotný , Vladimír Tvarožek , Marián Vojs , Soňa Flickyngerová , Doc. RNDr. Pavol Šutta Ph.D. , Andrej Vincze , M. Milosavljevic , C. Jeynes , N. Peng
Abstrakt CZ: Elektrické charakteristiky galiem dopovaným tenkých vrstev oxidu zinečnatého připravených rf diodovým naprašováním byly změněné dusíkovou implantací za použití dvou implantací při 40 keV a 80 keV s hustotou 1 × 10^15 and 1 × 10^16 cm?2 pro dosažení polovodivosti typu p. Implantace dusíkových iontů s hustotou 1 × 10^15 cm?2 N+ byla získána vodivost typu p s děrovou koncentrací 10^17?10^18 cm-3 v implantovaném vzorku. Vrstvy žíhané na teplotu nad 200°C v O2 a 400°C v N2 byly typu n s elektronovou koncentrací 10^17?10^20 cm? 3 . Vyšší dusíková koncentrace (potvrzená SRIM a SIMS) ve vrstvách implantovaných hustotou 1 × 10^16cm-2 dosáhly nižších elektronových koncentrací a vyšší rezistivity díky kompenzaci donorů dusíkovými akceptory.
Abstrakt EN: The electrical characteristics of gallium-doped zinc oxide (ZnO:Ga) thin ?lms prepared by rf diode sputtering were altered via nitrogen implantation by performing two implants at 40 keV and 80 keV with doses of 1 × 10^15 and 1 × 10^16 cm?2 to achieve a p-type semiconductor. An implantation of 1 × 10^15 cm?2 N+-ions yielded a p-type with hole concentrations 10^17?10^18 cm-3 in some as-implanted samples. The ?lms annealed at temperatures above 200?C in O2 and above 400?C in N2 were n-type with electron concentrations 10^17?10^20 cm? 3. The higher nitrogen concentration (con?rmed by SRIM and SIMS), in the ?lms implanted with a 1 × 10^16cm-2 dose, resulted in lower electron concentrations, respectively, higher resistivity, due to compensation of donors by nitrogen acceptors.
Klíčová slova

Zpět

Patička