Přejít k obsahu


Acceptor Doping in Sputtered ZnO Thin Films

Citace: SHTEVERA, K., TVAROŽEK, V., NOVOTNÝ, I., ŠUTTA, P., VINCZE, A., FLICKYNGEROVÁ, S., VOJS, M. Acceptor Doping in Sputtered ZnO Thin Films. IOP Conference Series: Materials Science and Engineering, 2012, roč. 34, č. 012008, s. 1-8. ISSN: 1757-8981
Druh: ČLÁNEK
Jazyk publikace: eng
Anglický název: Acceptor Doping in Sputtered ZnO Thin Films
Rok vydání: 2012
Místo konání: Bristol
Název zdroje: IOP Publishing LTD
Autoři: Kasimira Shtevera , Vladimír Tvarožek , Ivan Novotný , Doc. RNDr. Pavol Šutta Ph.D. , Ing. Andrej Vincze , Soňa Flickyngerová , Marián Vojs
Abstrakt CZ: Akceptorové dopování tenkých vrstev oxidu zinečnatého připraveného rf diodovým naprašování za použití dusíku jako zdroje pro dopování bylo realizováno během naprašování ve směsi plynů Ar/N2 nebo iontovou impantací iontů s energií 180 keV. Efekt dusíkového dopocání a (Al,Ga):N kodopování na vlastnosti vrstev byl studován. Byly získány Vysoce rezistivní vrstvy ZnO:N s p-typovou koncentrací nosičů náboje v rozmezí 10 14-10 15 cm -3 a náhodně orientovanými krystality. Kodopované vrstvy ZnO:Al:N a ZnO:Ga:N si udrželi texturu ve směru osy c kolmé na povrch substrátu. Koncentrace nosičů náboje pro p-typové vrstvy byla v řádech 10 17÷ 10 18 cm -3. Dusík s energií iontů 180 keV byl implatovaný do naprašovaných vrstev ZnO:Ga. Implantace proběhla v rozmezí 10 15-2× 10 16 cm -2.
Abstrakt EN: Acceptor doping of zinc oxide thin films prepared by radio-frequency diode sputtering, using nitrogen as a doping source, was realized during sputtering in Ar/N 2 gas mixture or via ion implantation of 180 keV N ions. Effects of N doping and (Al,Ga):N co-doping on the films' properties have been studied. Highly resistive ZnO:N films with p-type carrier concentrations ranging 10 14-10 15 cm -3 and more random orientation of the crystallites were obtained. The co-doped ZnO:Al:N and ZnO:Ga:N films maintained a c-axis texture in the direction of the surface normal. The carrier concentration of the p-type films was on the order of 10 17- 10 18 cm -3. 180 keV N ions were implanted in sputtered ZnO:Ga thin films. The implant doses varied 10 15-2× 10 16 cm -2. Annealing studies were performed under O 2 and N 2 ambient at different temperatures and times. N-implanted films were polycrystalline with a preferred c-axis orientation of the crystallites.
Klíčová slova

Zpět

Patička