Přejít k obsahu


An influence of oblique-angle sputtering on ZnO:Ga thin film properties

Citace: [] FLICKYNGEROVÁ, S., NETRVALOVÁ, M., ŠUTTA, P., NOVOTNÝ, I., TVAROŽEK, V. An influence of oblique-angle sputtering on ZnO:Ga thin film properties. In The Ninth International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. Piscataway: IEEE, 2012. s. 275-278. ISBN: 978-1-4673-1195-3
Druh: STAŤ VE SBORNÍKU
Jazyk publikace: eng
Anglický název: An influence of oblique-angle sputtering on ZnO:Ga thin film properties
Rok vydání: 2012
Místo konání: Piscataway
Název zdroje: IEEE
Autoři: Ing. Soňa Flickyngerová Ph.D. , Ing. Marie Netrvalová , Doc. RNDr. Pavol Šutta Ph.D. , Ing. Ivan Novotný Ph.D. , prof. RNDr. Vladimír Tvarožek CSc.
Abstrakt CZ: Byly vytvořeny vrstvy ZnO dopované galiem (ZnO:Ga) šikmou depozicí odkloněných pod úhlem 80° vůči držáku vzorků. Výrazně se zlepšila přednostní orientace ve směru (001) a kolumnární struktura byla odkloněna o 14° od normály k povrchu substrátu, snížila se elektrická rezistivita k hodnotě 0,0044 ?cm a zvýšila se optická propustnost nad 88% v porovnání s vrstvami, které byly uloženy v horizontální poloze.
Abstrakt EN: The oblique-angle sputtering of ZnO thin films doped by Ga (ZnO:Ga) with oblique-angle of 80° to the horizontal (target) plane was performed. It improved significantly their preferred crystalline (002) texture and columnar crystalline structure tilted of about 14° declination from the substrate normal, decreased their electrical resistivity down to value of 0.0044 ?cm and increased optical transparency up to 88 %. in comparison with films deposited perpendicularly to substrate.
Klíčová slova

Zpět

Patička