Přejít k obsahu


Microstructure Determination of mc-Si:H Films Analysing the Breadths of Diffraction and Sectral Lines of XRD, FTIR and Raman Spectroscopies

Citace: [] ŠUTTA, P., NETRVALOVÁ, M., PRUŠÁKOVÁ, L., CALTA, P., MÜLLEROVÁ, J. Microstructure Determination of mc-Si:H Films Analysing the Breadths of Diffraction and Sectral Lines of XRD, FTIR and Raman Spectroscopies. In Progress in Applied Surface, Inteface and Thin Film Science 2012, SURFINT -SREN III. Bratislava: Univerzita Komenského Bratislava, 2012. s. 73-76. ISBN: 978-80-223-3212-5
Druh: STAŤ VE SBORNÍKU
Jazyk publikace: eng
Anglický název: Microstructure Determination of mc-Si:H Films Analysing the Breadths of Diffraction and Sectral Lines of XRD, FTIR and Raman Spectroscopies
Rok vydání: 2012
Místo konání: Bratislava
Název zdroje: Univerzita Komenského Bratislava
Autoři: Doc. RNDr. Pavol Šutta Ph.D. , Ing. Marie Netrvalová , Ing. Lucie Prušáková , Ing. Pavel Calta Ph.D. , doc. RNDr. Jarmila Müllerová Ph.D.
Abstrakt CZ: Mikrokrystalický křemík je velmi důležitý materiál pro tenkovrstvé solární články na bázi křemíku. Rentgenová difrakce, Ramanova a FTIR spektroskopie jsou velmi silné experimentální metody, které dokáží odpovídat na otázky týkající se krystalové struktury a distribuce vodíku v analyzovaném materiálu. Na druhou stranu, optickou šířku zakázaného pásu, indexy lomu a absorpční vlastnosti vrstev mohou být určovány z UV-Vis spektroskopie
Abstrakt EN: Microcrystalline silicon is very important material for silicon based thin-film solar cells. X-ray diffraction, Raman and FTIR spectroscopies are powerful experimental methods, which can answer the questions dealing with the crystal structure and hydrogen distribution in the material analyzed. On the other hand, optical band-gaps, spectral refractive indices and absorption properties of the films can be carried out from the UV-Vis spectroscopy.
Klíčová slova

Zpět

Patička