Přejít k obsahu


Microstructure Determination of mc-Si:H Films Analysing the Breadths of Diffraction and Sectral Lines of XRD, FTIR and Raman Spectroscopies using the Voigt function

Citace: [] ŠUTTA, P., NETRVALOVÁ, M., MÜLLEROVÁ, J., PRUŠÁKOVÁ, L., OČENÁŠEK, J. Microstructure Determination of mc-Si:H Films Analysing the Breadths of Diffraction and Sectral Lines of XRD, FTIR and Raman Spectroscopies using the Voigt function. In Proceedings 27th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition. München: WIP, 2012. s. 2679-2683. ISBN: 3-936338-28-0
Druh: STAŤ VE SBORNÍKU
Jazyk publikace: eng
Anglický název: Microstructure Determination of mc-Si:H Films Analysing the Breadths of Diffraction and Sectral Lines of XRD, FTIR and Raman Spectroscopies using the Voigt function
Rok vydání: 2012
Místo konání: München
Název zdroje: WIP
Autoři: Doc. RNDr. Pavol Šutta Ph.D. , Ing. Marie Netrvalová , doc. RNDr. Jarmila Müllerová Ph.D. , Ing. Lucie Prušáková , Ing. Jan Očenášek Ph.D.
Abstrakt CZ: Mikrokrystalický křemík je velmi důležitý materiál pro tenkovrstvé solární články na bázi křemíku. Je velmi vhodný pro tandemové solární články za použití a-Si:H/?c-Si:H dvou- nebo třípřechodové technologie. Protože ?c-Si:H je směs amorfní a krystalické fáze, jsou fyzikální vlastnosti silně závislé na objemu krystalické fáze a vodíkového zředění ve vrstvách. Experimentální difrakční a spektrální čáry jsou konvolucí různých funkcí zahrnující instrumentální faktory a nedokonalosti vzorku. Instrumentální čárové profily jsou aproximovatelné Cauchyho funkcí, zatímco profily náležící mřížkovým napětím jsou blíže Gaussově funkci. Funkce složené z těchto profilů jsou známé jako Voigtovy funkce. Vyšetřované vrstvy byly analyzovány pomocí čárového profilu rentgenové difrakční analýzy, Ramanovy a FTIR spektroskopie. Reálné strukturní parametry vrstev jsou v dobré shodě s výslodky z UV/Vis spektrometrie a spektroskopické elipsometrie.
Abstrakt EN: Microcrystalline silicon is very important material for silicon based thin-film solar cells. It is especially convenient for tandem silicon solar cells using a-Si:H/?c-Si:H double- or triple-junction technology. Because the ?c-Si:H is a composition of amorphous and crystalline phases, its physical properties are strongly influenced by the volume content of the crystalline phase and by the hydrogen content in the films. Experimental diffraction and spectral lines are the convolution of various functions arising from the instrumental factors and specimen imperfections. The instrumental line profile is approximately Cauchy, whereas the profile arising from the lattice strain is more nearly Gaussian. The function formed from these profiles is known as a Voigt function. The films were investigated by X-ray diffraction, Raman and FTIR spectroscopies using the line profile analysis. Real structure parameters of the films (crystalline volume content, micro-strains, grain sizes, hydrogen content and distribution) carried out from the analysis indicated good agreement between the results from UV/Vis spectrophotometry and spectroscopic ellipsometry.
Klíčová slova

Zpět

Patička