Přejít k obsahu


Depozice tenkých multivrstev a-Si:H/SiO2 technologií PECVD pro fotovoltaické aplikace

Citace: [] CALTA, P., ŠUTTA, P., NETRVALOVÁ, M., PRUŠÁKOVÁ, L. Depozice tenkých multivrstev a-Si:H/SiO2 technologií PECVD pro fotovoltaické aplikace. In Modelování a měření v energetice - Moderní technologie pro přeměnu energie. Plzeň: Vědeckotechnická společnost Škoda, 2012. s. 9-12. ISBN: neuveden
Druh: STAŤ VE SBORNÍKU
Jazyk publikace: cze
Anglický název: Deposition of thin multilayer a-Si:H/SiO2 by using PECVD for photovoltaic applications
Rok vydání: 2012
Místo konání: Plzeň
Název zdroje: Vědeckotechnická společnost Škoda
Autoři: Ing. Pavel Calta Ph.D. , Doc. RNDr. Pavol Šutta Ph.D. , Ing. Marie Netrvalová , Ing. Lucie Prušáková
Abstrakt CZ: V tomto článku bylo použito termické žíhání pro výrobu křemíkových nanostruktur s kontrolovanou velikostí z amorfních multivrstev a-Si:H/SiO2. Série multivrstev byly deponovány PECVD za použití SiH4 a N2O plynných prekurzorů. Vrstvy tvořené stejnými tloušťkami (20, 15, 10 a 5 nm) subvrstev a-Si:H a SiO2 byly připravené na substráty Corning glass a Si(100).
Abstrakt EN: In this paper, we used thermal annealing for fabrication size controlled silicon nanostructures from amorphous a-Si:H/SiO2 multilayers. A series of multilayers were deposited by PECVD using SiH4 and N2O as precursor gases. Films composed of alternating uniformly thick (20, 15, 10 and 5 nm) sublayers of a-Si:H and SiO2 were prepared on Corning glass and Si(100) substrate.
Klíčová slova

Zpět

Patička