Přejít k obsahu


Effect of substrate temperature on vapour-phase self-assembly of n-octylphosphonic acid monolayer for low-voltage organic thin-film transistors

Citace: GUPTA, S., ŠUTTA, P., LAMPROU, D., GLESKOVA, H. Effect of substrate temperature on vapour-phase self-assembly of n-octylphosphonic acid monolayer for low-voltage organic thin-film transistors. Organic Electronics, 2013, roč. 14, č. 10, s. 2468-2475. ISSN: 1566-1199
Druh: ČLÁNEK
Jazyk publikace: eng
Anglický název: Effect of substrate temperature on vapour-phase self-assembly of n-octylphosphonic acid monolayer for low-voltage organic thin-film transistors
Rok vydání: 2013
Autoři: S. Gupta , Doc. RNDr. Pavol Šutta Ph.D. , D.A. Lamprou , H. Gleskova
Abstrakt CZ: Monovrstva n-ocrylfosfonické kyseliny (C8PA) byla samosestavena na oxidu hliníku (AlOx) z plynnu ve vakuu, zatímco teplota substrátu byla měněna v rozmezí teplot 25 -150°C. Kapacitance, měření vodního kontaktního úhlu, infračervená spektroskopie s Fourierovou transformací a AFM byly provedeny pro potvrzení přítomnosti C8PA na AlOx pro všechny růstové teploty. Bylo zkoumáno, jak struktura a elektrické vlastnosti monovrstvy závisí na jejich růstové teplotě.
Abstrakt EN: N-octylphosphonic acid (C8PA) monolayer was self-assembled on aluminum oxide (AlOx) from vapor in vacuum, while the substrate temperature was varied between 25 and 150 °C. The capacitance, water contact angle measurement, Fourier transform infrared (FTIR) spectroscopy, and atomic force microscopy (AFM) confirmed the presence of C8PA on AlOx for all growth temperatures. However, the structural and electrical properties of such monolayers depend on their growth temperature.
Klíčová slova

Zpět

Patička